参数	值
产品	未分类
型号编码	MJE800Gpx
说明	未分类   TO-225AA TO-225 SOIC-14
起订量	1
最小包	1
现货	397 [库存更新时间：2024-06-06]
FET类型	NPN - 达林顿
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	2.5V @ 30mA,1.5A
电流-集电极截止（最大值）	100µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	750 @ 1.5A,3V
功率	40W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-225AA
封装/外壳	TO-225
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	4A
集电极_发射极击穿电压VCEO	60V
最小工作温度	- 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	60 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
封装/外壳	SOIC-14
FET类型	NPN
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	4 A
最大集电极截止电流	100 uA