参数	值
产品	未分类
型号编码	MGSF2N02ELT1G
说明	未分类   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
起订量	3
最小包	3
现货	425 [库存更新时间：2024-05-23]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	2.8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	3.5nC @ 4V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	150pF @ 5V
栅极电压Vgs	±8V
功率	1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	SOT-23
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	2.8A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	3.5nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	150pF @ 5V
Rds On(Max)@Id,Vgs	85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	2.8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA