参数	值
产品	未分类
型号编码	IRFH5110TR2PBF
说明	未分类   PQFN(5x6) 8-PowerVDFN
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	509 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	11A(Ta),63A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	72nC
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3152pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	3.6W(Ta),114W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.4 毫欧 @ 37A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PQFN(5x6)
封装/外壳	8-PowerVDFN