参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF830
说明	未分类   TO-220AB TO-220-3
品牌	ST(意法半导体)
起订量	50
最小包	50
现货	210 [库存更新时间：2025-04-16]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	4.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	30nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	610pF @ 25V
功率	100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3