参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | IRF6655TR1PBF |
说明 | 未分类 DIRECTFET™SH DirectFET™等容SH |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 411 [库存更新时间:2024-05-30] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 100V |
连续漏极电流Id | 4.2A(Ta),19A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.8V @ 25µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11.7nC |
栅极电压Vgs | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 530pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 25V |
功率 | 2.2W(Ta),42W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 62 毫欧 @ 5A,10V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | DIRECTFET™ SH |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 SH |