参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF1018ESLPBF
说明	未分类   TO-262 TO262
起订量	50
最小包	50
现货	509 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	79A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	69nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2290pF @ 50V
功率	110W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.4 毫欧 @ 47A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-262
封装/外壳	TO262