参数	值
产品	未分类
型号编码	IPS110N12N3GBKMA1
说明	未分类   PG-TO251-3 PG-TO251-3
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	120V
连续漏极电流Id	75A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	65nC
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4310pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	60V
功率	136W
Rds On(Max)@Id,Vgs	11 毫欧 @ 75A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO251-3
封装/外壳	PG-TO251-3