参数	值
产品	未分类
型号编码	IPB100N06S3L-04
说明	未分类   PG-TO263-3-2 TO-263-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
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现货	502 [库存更新时间：2025-04-01]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	100A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	362nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	17270pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	214W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.5 毫欧 @ 80A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3-2
封装/外壳	TO-263-3