参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | HIP2101IBZT7A |
说明 | 未分类 |
品牌 | INTERSIL |
起订量 | 1 |
最小包 | 250 |
现货 | 571 [库存更新时间:2025-04-05] |
上升时间 | 10 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
最大功率消耗 | 1.3 W |
最长接通延迟时间 | 56 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
标准包装数量 | 250 |
电源电压 - 最大值 | 14 VDC |
电源电压 - 最小值 | 9 VDC |
电源电流 | 3.4 mA |
FET类型 | High Frequency Half Bridge Driver |
系列 | HIP2101 |
输出电压 | 0.4 V |
驱动器数 | 1 Ohms |
驱动配置 | 半桥 |
FET类型 | 独立式 |
栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 电源 | 9 V ~ 14 V |
逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.2V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 2A,2A |
输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 114V |
上升/下降时间(典型值) | 10ns,10ns |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
类型 | 插口 |
触头端接 | 压接 |
线规 | 24-28 AWG |
触头镀层 | 金 |
触头镀层厚度 | 8.00µin(0.203µm) |