参数	值
产品	未分类
型号编码	FDT86113LZ
说明	未分类   SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	540 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	3.3A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.8nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	315pF @ 50V
功率	2.2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	100 毫欧 @ 3.3A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-223-4
封装/外壳	TO-261-4,TO-261AA