参数	值
产品	未分类
型号编码	FDS6982AS
说明	未分类   SOIC 5mm 5x3.99x1.5mm
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	539 [库存更新时间：2026-01-05]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	6.3 A,8.6 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	14 m0hms,28 m0hms
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOIC
晶体管配置	隔离式
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	2W
典型接通延迟时间	12 ns
典型关断延迟时间	24 ns, 27 ns
漏源极电压Vds	1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V
晶体管材料	Si
系列	PowerTrench, SyncFET
宽度	3.99mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	5mm
高度	1.50mm
封装/外壳	5 x 3.99 x 1.5mm
每片芯片元件数目	2