参数	值
产品	未分类
型号编码	FDS6681Zp
说明	未分类   SOIC 5x4x1.5mm 5mm
起订量	5
最小包	5
现货	403 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	20 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	5 m0hms
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-25 V、+25 V
封装/外壳	SOIC
晶体管配置	单
引脚数目	8
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	2500 mW
高度	1.50mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm
宽度	4mm
系列	PowerTrench
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	7540 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	660 ns
典型接通延迟时间	20 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	5mm