参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | FDS6574Ap |
说明 | 未分类 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) |
起订量 | 2 |
最小包 | 2 |
现货 | 397 [库存更新时间:2025-04-06] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 16A(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.8V,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 105nC @ 4.5V |
栅极电压Vgs | ±8V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 7657pF @ 10V |
功率 | 2.5W(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 6 毫欧 @ 16A,4.5V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5V |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 10V |