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    FDS6574Ap

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    库存:397 Pcs [库存更新时间:2024-06-05]

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    产品概述
    参数
    产品未分类
    型号编码FDS6574Ap
    说明未分类   8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
    起订量2
    最小包2
    现货397 [库存更新时间:2024-06-05]
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds20V
    连续漏极电流Id16A(Ta)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)1.8V,4.5V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)105nC @ 4.5V
    栅极电压Vgs±8V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)7657pF @ 10V
    功率2.5W(Ta)
    Rds On(Max)@Id,Vgs6 毫欧 @ 16A,4.5V
    工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
    封装/外壳8-SO
    封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
    电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs4.5V
    电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds10V

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