| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | FDMD86100 |
| 说明 | 未分类 8-PowerWDFN 8-Power5x6 |
| 起订量 | 3 |
| 最小包 | 3 |
| 现货 | 480 [库存更新时间:2026-01-30] |
| FET类型 | 2 N 沟道(双)共源 |
| FET类型 | 标准 |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 10A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10.5 毫欧 @ 10A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2060pF @ 50V |
| 功率 | 2.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 封装/外壳 | 8-Power 5x6 |


