参数	值
产品	未分类
型号编码	FDMD82100L
说明	未分类   12-PowerWDFN 12-Power3.3x5
起订量	3
最小包	3
现货	480 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	19.5 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1585pF @ 50V
功率	1W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	12-PowerWDFN
封装/外壳	12-Power3.3x5