参数	值
产品	未分类
型号编码	FDFS2P753Z
说明	未分类   8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	536 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9.3nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	455pF
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	115 毫欧 @ 3A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)