参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | ESDAXLC4-1BF3 |
说明 | 未分类 2-XFBGA,FCBGA 2-覆晶 |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 15000 |
最小包 | 15000 |
现货 | 30256 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | 齐纳 |
双向通道 | 1 Ohms |
反向对峙电压VRWM | 3V |
击穿电压VBR(min) | 4V |
箝位电压VCL(max) | 10V |
峰值脉冲电流Ipp | 1A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 55W |
电源线路保护 | 无 |
不同频率时的电容 | 0.3pF @ 200MHz ~ 3GHz |
工作温度 | -55°C ~ 125°C(TJ) |
封装/外壳 | 2-XFBGA,FCBGA |
封装/外壳 | 2-覆晶 |