参数	值
产品	未分类
型号编码	EPC2100ENG
说明	未分类   模具 模具
品牌	EPC
起订量	0
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现货	492 [库存更新时间：2026-03-11]
FET类型	2 个 N 通道(半桥)
FET类型	GaNFET(氮化镓)
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	10A(Ta),40A(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.2 毫欧 @ 25A,5V,2.1 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 4mA,2.5V @ 16mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.9nC @ 15V,19nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	475pF @ 15V,1960pF @ 15V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	模具
封装/外壳	模具