参数	值
产品	未分类
型号编码	DMN1019USN-13
说明	未分类   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	10000
最小包	10000
现货	23587 [库存更新时间：2025-04-10]
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	50.6nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2426pF @ 10V
栅极电压Vgs	±8V
功率	680mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	10 毫欧 @ 9.7A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	9.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.2V,2.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	800mV @ 250µA