| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 集成电路(芯片) |
| 型号编码 | DGD2103AS8-13 |
| 说明 | 集成电路(芯片) 8-SO |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 2500 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 5209 [库存更新时间：2025-04-02] |
| 驱动配置 | 半桥 |
| FET类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
| 电压-电源 | 10 V ~ 20 V |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.8V,2.5V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 290mA,600mA |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V |
| 上升/下降时间（典型值） | 100ns,50ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SO |
IC普拉斯 元器件现货
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