参数	值
产品	未分类
型号编码	CSD19535KTT
说明	未分类   TO-263-4,D²Pak(3引线+接片),TO-263AA DDPAK/TO-263-3 TO-263-4,D²Pak(3引线+接片),TO-263AA
品牌	TI(德州仪器)
起订量	500
最小包	500
现货	1102 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7930pF @ 50V
栅极电压Vgs	±20V
功率	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.4 毫欧 @ 100A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	200A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	98nC @ 10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	200A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	98nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7930pF @ 50V
功率	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.4 毫欧 @ 100A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	DDPAK/TO-263-3
封装/外壳	TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA