型号参数与资料
- 型号
- CSD19535KTTT
- 品牌
- TI(德州仪器)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 200A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 98nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7930pF @ 50V |
| 功率 | 300W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.4 毫欧 @ 100A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | DDPAK/TO-263-3 |
| 封装/外壳 | TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA |
未分类 DDPAK/TO-263-3 TO-263-4,D²Pak(3引线+接片),TO-263AA
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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