参数 | 值 |
---|---|
产品 | 未分类 |
型号编码 | BZT52C8V2LP-7 |
说明 | 未分类 DFN1006-2 |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 387 [库存更新时间:2025-04-07] |
封装/外壳 | DFN1006-2 |
最小工作温度 | - 65 C |
齐纳电压 | 8.2 V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 4.7 mV / C |
齐纳电流 | 5 mA |
功率 | 1/4W |
最大反向漏泄电流 | 0.7 uA |
最大齐纳阻抗 | 15 0hms |
最大工作温度 | + 150 C |
参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | BZT52C8V2LP-7 |
说明 | 未分类 DFN1006-2 |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 387 [库存更新时间:2025-04-07] |
封装/外壳 | DFN1006-2 |
最小工作温度 | - 65 C |
齐纳电压 | 8.2 V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 4.7 mV / C |
齐纳电流 | 5 mA |
功率 | 1/4W |
最大反向漏泄电流 | 0.7 uA |
最大齐纳阻抗 | 15 0hms |
最大工作温度 | + 150 C |