参数	值
产品	未分类
型号编码	BSB053N03LP G
说明	未分类   MG-WDSON-2,CanPAKM™ 3-WDSON
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	503 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	17A(Ta),71A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	29nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2700pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
功率	2.3W(Ta),42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.3 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	MG-WDSON-2,CanPAK M™
封装/外壳	3-WDSON