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    APTML20UM18R010T1AG

    品牌:Microsemi(美高森美)

    产品:未分类

    库存:513 Pcs [库存更新时间:2025-04-04]

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    产品概述
    参数
    产品未分类
    型号编码APTML20UM18R010T1AG
    说明未分类   SP1 SP1
    品牌Microsemi(美高森美)
    起订量0
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    现货513 [库存更新时间:2025-04-04]
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds200V
    连续漏极电流Id109A(Tc)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 2.5mA
    栅极电压Vgs±30V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)9880pF @ 25V
    功率480W(Tc)
    Rds On(Max)@Id,Vgs19 毫欧 @ 50A,10V
    工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
    封装/外壳SP1
    封装/外壳SP1

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