参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | APTGLQ30H65T3G |
说明 | 未分类 模块 |
品牌 | Microsemi(美高森美) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 491 [库存更新时间:2025-04-05] |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
配置 | 全桥 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 40A |
功率 | 95W |
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V,30A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50µA |
不同 Vce 时的输入电容(Cies) | 1.9nF @ 25V |
输入 | 标准 |
NTC 热敏电阻 | 是 |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) |
封装/外壳 | 模块 |