参数	值
产品	未分类
型号编码	APTC80H15T1G
说明	未分类   SP1 SP1
品牌	Microsemi(美高森美)
起订量	100
最小包	100
现货	458 [库存更新时间：2025-04-10]
FET类型	4 个 N 通道(H 桥)
FET类型	标准
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	28A
Rds On(Max)@Id,Vgs	150 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4507pF @ 25V
功率	277W
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SP1
封装/外壳	SP1