参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | APTC80DDA29T3G |
说明 | 未分类 SP3 SP3 |
品牌 | Microsemi(美高森美) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 491 [库存更新时间:2025-04-03] |
FET类型 | 2N-Channel |
FET类型 | 标准 |
漏源极电压Vds | 800V |
连续漏极电流Id | 15A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 290 毫欧 @ 7.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 90nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2254pF @ 25V |
功率 | 156W |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | SP3 |
封装/外壳 | SP3 |