参数	值
产品	未分类
型号编码	APTC60DSKM70T1G
说明	未分类   SP1 SP1
品牌	Microsemi(美高森美)
起订量	0
最小包	0
现货	515 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	2 N 沟道(双路降压斩波器)
FET类型	超级结
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	39A
Rds On(Max)@Id,Vgs	70 毫欧 @ 39A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	259nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	700pF @ 25V
功率	250W
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SP1
封装/外壳	SP1