参数	值
产品	未分类
型号编码	APT1003RKLLG
说明	未分类   TO-220[K] TO-220-3
品牌	Microsemi(美高森美)
起订量	0
最小包	0
现货	515 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	1000V
连续漏极电流Id	4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	34nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	694pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	139W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3 欧姆 @ 2A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220 [K]
封装/外壳	TO-220-3