参数	值
产品	未分类
型号编码	2SK975TZ-E
说明	未分类   TO-92 4.8mm 4.8x3.8x8mm
品牌	Renesas(瑞萨)
起订量	15
最小包	15
现货	576 [库存更新时间：2024-05-19]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	1.5 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	550 m0hms
栅极电压Vgs	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-92
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	900 mW
长度	4.8mm
高度	8mm
封装/外壳	4.8 x 3.8 x 8mm
晶体管材料	Si
最高工作温度	+150 °C
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	3 ns
宽度	3.8mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
漏源极电压Vds	140 pF@ 10 V