产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
红外发射管 |
L1F2-U400100006001 |
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FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):650mW/sr @ 500mA 波长:400nm ~ 410nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
L1F2-U400100005001 |
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FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):550mW/sr @ 500mA 波长:400nm ~ 410nm 电压-正向(Vf)(典型值):3V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
L1F2-U390100006001 |
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FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):650mW/sr @ 500mA 波长:390nm ~ 400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.1V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
L1F2-U390100004001 |
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FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):450mW/sr @ 500mA 波长:390nm ~ 400nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.1V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
L1F2-U380100002001 |
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FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):250mW/sr @ 500mA 波长:380nm ~ 390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.2V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
LTE-5208AC |
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电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):3.31mW/sr @ 20mA 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
VSMY7850X01-GS08 |
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系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):130mW/sr @ 1A 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
VSMY3850-GS08 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):12mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.6V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° |
红外发射管 |
VSMY2853SL |
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系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:56° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
VSMY2850RG |
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FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):50mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 辐射强度:100mW/sr 射束角:10deg 功率:0.19W If - 正向电流:100mA Vf - 正向电压:1.65V 系列:VSMY2850xG 照明颜色:InFrared 透镜形状:Dome 显示角:20deg 下降时间:10ns 上升时间:10ns |
红外发射管 |
VSMY2850G |
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FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):50mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
VSMY1850X01 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):5mW/sr @ 100mA 封装/外壳:0805 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° |
红外发射管 |
VSMS3700-GS08 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):1.6mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° |
红外发射管 |
VSML3710-GS08 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):4mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° |
红外发射管 |
VSMG10850 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):1mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,无引线 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:侧视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):65mA 类型:红外(IR) 视角:150° |
红外发射管 |
VSMF3710-GS08 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):6mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:120° |
红外发射管 |
VSMB3940X01-GS08 |
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FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):7mW/sr @ 1000mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,J 形引线 |
红外发射管 |
VSMB2943SLX01 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:侧视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:50° |
红外发射管 |
VSMB2943RGX01 |
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FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d |
红外发射管 |
VSMB2020X01 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° |
红外发射管 |
VSMB2000X01 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° |
红外发射管 |
VSLY5850 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):300mW/sr @ 100mA 封装/外壳:T 1 3/4 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:6° |
红外发射管 |
VSLY3850 |
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系列:SurfLight™ FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.65V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
TSUS6402 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):15mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:44° |
红外发射管 |
TSUS5402 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):15mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:44° |
红外发射管 |
TSUS5400 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):7mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:44° |
红外发射管 |
TSUS5202 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:30° |
红外发射管 |
TSUS5200 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):10mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.2V 电流-DC正向(If)(最大值):150mA 类型:红外(IR) 视角:30° |
红外发射管 |
TSUS4300 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):7mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:32° |
红外发射管 |
TSTS7100 |
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FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):250mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):10mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:10° 朝向:顶视图 工作温度:100°C(TJ) 封装/外壳:TO-18-2 金属罐 |
红外发射管 |
TSTA7100 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):20mW/sr @ 100mA 封装/外壳:TO-18-2 金属罐 工作温度:100°C(TJ) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:10° |
红外发射管 |
TSSS2600 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):1mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:侧视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:50° |
红外发射管 |
TSSF4500 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):10mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:侧视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44° |
红外发射管 |
TSML1020 |
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FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):3mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:24° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 |
红外发射管 |
TSML1000 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):3mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° |
红外发射管 |
TSMF1020 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):2.5mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,鸥翼 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:34° |
红外发射管 |
TSMF1000 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):2.5mW/sr @ 20mA 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:34° |
红外发射管 |
TSKS5400S-ASZ |
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不同If时最小辐射强度(Ie):2mW/sr @ 100mA 工作温度:-25°C~85°C(TA) 方向:侧视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:30° |
红外发射管 |
TSHG8400 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:830nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44° |
红外发射管 |
TSHG8200 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:830nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20° |
红外发射管 |
TSHG6410 |
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系列:TDHG 功率:0.18W Vf-正向电压:1.5 V 下降时间:13 ns 上升时间:20 ns Vr-反向电压:5 V 透镜形状:Circular If-正向电流:100 mA 照明颜色:InFrared 显示角:18 deg FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):45mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 视角:36° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
TSHG6210 |
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FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):140mW/sr @ 100mA 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
TSHG6200 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20° |
红外发射管 |
TSHG5410 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:36° |
红外发射管 |
TSHF6410 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44° |
红外发射管 |
TSHF6210 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20° |
红外发射管 |
TSHF5410 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):45mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:44° |
红外发射管 |
TSHF5210 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):120mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:890nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.4V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:20° |
红外发射管 |
TSHA6203 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):50mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° |
红外发射管 |
TSHA5203 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):50mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° |
红外发射管 |
TSHA5202 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):36mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° |
红外发射管 |
TSHA5200 |
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不同If时最小辐射强度(Ie):25mW/sr @ 100mA 工作温度:-40°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):2.8V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° |
红外发射管 |
TSHA4401 |
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FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):16mW/sr @ 100mA 波长:875nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.5V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
TSAL6200 |
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FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):40mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:34° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向,5mm直径(T13/4) |
红外发射管 |
TSAL4400 |
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电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):16mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.35V 视角:50° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向,3mm 直径(T-1) |
红外发射管 |
SFH 4855 |
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封装/外壳:TO 18 |
红外发射管 |
SFH 4725S |
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封装/外壳:IR OSLON black-series |
红外发射管 |
SFH 4715S |
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封装/外壳:IR OSLON black-series |
红外发射管 |
SFH 4715AS |
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封装/外壳:IR OSLON black-series |
红外发射管 |
SFH 4655-UV |
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封装/外壳:MIDLED Sidelooker |
红外发射管 |
SFH 4651-UV |
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封装/外壳:MIDLED Toplooker |
红外发射管 |
SFH 464 E7800 |
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封装/外壳:TO 18 |
红外发射管 |
SFH 4645 |
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封装/外壳:MIDLED Sidelooker |
红外发射管 |
SFH 4557 |
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封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) |
红外发射管 |
SFH 4556 |
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封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) |
红外发射管 |
SFH 4555 |
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封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) |
红外发射管 |
SFH 4554 |
|
封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) |
红外发射管 |
SFH 4550 |
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封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) |
红外发射管 |
SFH 4546 |
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封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) |
红外发射管 |
SFH 4545 |
|
封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) |
红外发射管 |
SFH 4544 |
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封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) |
红外发射管 |
SFH 4356-UV |
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封装/外壳:T1 (plastics 3mm) |
红外发射管 |
SFH 4356 |
|
封装/外壳:T1 (plastics 3mm) |
红外发射管 |
SFH 4350 |
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封装/外壳:T1 (plastics 3mm) |
红外发射管 |
SFH 4256-R |
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封装/外壳:SIDELED |
红外发射管 |
SFH 4256 |
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封装/外壳:SIDELED |
红外发射管 |
SFH 4056 |
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封装/外壳:ChipLED w lens |
红外发射管 |
SFH 4052 |
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封装/外壳:ChipLED w lens |
红外发射管 |
LHUV-0385-0300 |
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系列:LUXEON UV FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向(If):1A 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):325mW/sr @ 500mA 波长:385nm ~ 390nm 电压-正向(Vf)(典型值):3.1V 视角:125° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
IR19-315C/TR8 |
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Dimension(mm):1.7x0.8x0.6 Ie_Min(mW/sr):0.2 Ie_Typ(mW/sr):0.6 VF(V)max.:1.5 VF(V)typ.:1.2 ViewAngle:140 λp(nm):940 |
红外发射管 |
CQY37N |
Vishay(威世) |
不同If时最小辐射强度(Ie):2.2mW/sr @ 50mA 工作温度:-25°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:24° |
红外发射管 |
CQY36N |
Vishay(威世) |
不同If时最小辐射强度(Ie):0.7mW/sr @ 50mA 工作温度:-25°C~85°C(TA) 方向:顶视图 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 电流-DC正向(If)(最大值):100mA 类型:红外(IR) 视角:110° |
红外发射管 |
IR383 |
Everlight(亿光) |
波长:940nm 工作温度:-40°C~85°C 正向电流If:100mA 可视角:20deg |
红外发射管 |
TSSS2600 |
Vishay(威世) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1mW/sr @ 100mA 波长:950nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.25V 视角:50° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向,侧视图 |
红外发射管 |
SML-S13RTT86 |
ROHM(罗姆) |
FET类型:红外(IR) 电流 - DC 正向(If):30mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):1.5mW/sr @ 20mA 波长:850nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.4V 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:1206 |
红外发射管 |
LTE-C211 |
Lite-On(光宝) |
功率:0.072W 电压:5V |
红外发射管 |
LTE-7477LM1-TA |
Lite-On(光宝) |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 50mA 波长:880nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.75V 视角:16° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):35mW/sr @ 50mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.75V 封装/外壳:径向 封装/外壳:5mm |
红外发射管 |
IR383 |
Everlight(亿光) |
波长:940nm 工作温度:-40°C~85°C 正向电流If:100mA 可视角:20deg |
红外发射管 |
VSMY2850RGX01 |
Vishay(威世) |
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红外发射管 |
RP1608X09-H5 |
CT-MICRO(兆龙) |
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红外发射管 |
SIRP1608X09-H5 |
CT-MICRO(兆龙) |
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红外发射管 |
HIR204C/H0 |
Everlight(亿光) |
波长:850nm 工作温度:-40°C~85°C 正向电流If:100mA 可视角:40deg |
红外发射管 |
WP710A10F3C |
KINGBRIGHT |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):10mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:34° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 |
红外发射管 |
APT2012F3C |
KINGBRIGHT |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0805 |
红外发射管 |
APT1608SF4C-PRV |
KINGBRIGHT |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.8mW/sr @ 20mA 波长:880nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0603 |
红外发射管 |
APT1608F3C |
KINGBRIGHT |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:0603 |
红外发射管 |
APA3010F3C-GX |
KINGBRIGHT |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:120° 朝向:侧视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装,直角 封装/外壳:2-SMD,无引线 |
红外发射管 |
AP2012SF4C |
KINGBRIGHT |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):0.8mW/sr @ 20mA 波长:880nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.3V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2012 |
红外发射管 |
AA3528F3S |
KINGBRIGHT |
FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):50mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):1.6mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:120° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-PLCC |
红外发射管 |
VSMY2943G |
Vishay(威世) |
系列:VSMY2943 FET类型:红外(IR) 电流-DC正向(If):100mA 不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 波长:940nm 电压-正向(Vf)(典型值):1.55V 视角:56° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.55V |