IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 红外发射管 | L1F2-U400100006001 | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:650mW/sr @ 500mA 波长:400nm ~ 410nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 | |
| 红外发射管 | L1F2-U400100005001 | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:550mW/sr @ 500mA 波长:400nm ~ 410nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 | |
| 红外发射管 | L1F2-U390100006001 | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:650mW/sr @ 500mA 波长:390nm ~ 400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.1V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 | |
| 红外发射管 | L1F2-U390100004001 | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:450mW/sr @ 500mA 波长:390nm ~ 400nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.1V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 | |
| 红外发射管 | L1F2-U380100002001 | FET类型:紫外线(UV) 电流-DC正向（If）:1A 不同If时的辐射强度（Ie）（最小值）:250mW/sr @ 500mA 波长:380nm ~ 390nm 电压-正向（Vf）（典型值）:3.2V 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 135°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 |