IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | VS-6EWH06FNTR-M3 | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:2.1V 反向漏电流Ir:50uA 封装/外壳:TO-252AA 反向恢复时间Trr:27ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:6A | |
| 整流二极管 | VS-MURD620CTTRR-M3 | 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:1V 反向漏电流Ir:5uA 封装/外壳:TO-252AA 反向恢复时间Trr:35ns 工作温度:-65℃~175℃ 正向电流If:3A | |
| 整流二极管 | VS-HFA04SD60STRPBF | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:1.8V 反向漏电流Ir:3uA 封装/外壳:TO-252AA 反向恢复时间Trr:42ns 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:4A | |
| 整流二极管 | SBRT10U50SP5-13 | 封装/外壳:PowerDI™ 5 反向漏电流Ir:75mA 反向电压Vr:50V 工作温度-结:-55℃~150℃ 正向电压Vf:450mV 正向电流If:10A | |
| 整流二极管 | V10P10HE3/87A | 反向电压Vr:100V 正向电压Vf:680mV 反向漏电流Ir:150uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-40℃~150℃ 正向电流If:10A | |
| 整流二极管 | S5G-M3/9AT | 反向电压Vr:400V 正向电压Vf:1.15V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:DO-214AB 反向恢复时间Trr:2.5us 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:5A | |
| 整流二极管 | STTH9012TV2 | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:45A 正向电压Vf:2.1V@45A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:125ns 反向漏电流Ir:30uA@1200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:ISOTOP® | |
| 整流二极管 | STTH8R06D | 封装/外壳:TO-220AC 正向浪涌电流Ifsm:80A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 正向电压Vf:2.9V 反向漏电流Ir:30uA 反向恢复时间Trr:45ns 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 整流二极管 | STTH8R04G-TR | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.5V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10uA@400V 封装/外壳:D2PAK 工作温度-结:-40°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | STTH8R04D | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.5V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:10uA@400V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | STTH810DI | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:8A 正向电压Vf:2V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:85ns 反向漏电流Ir:5uA@1000V 封装/外壳:TO-220Ins 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH806DTI | 正向电压Vf:3.6V@8A 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:10uA@600V FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 封装/外壳:TO-220AC ins 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH802G | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:6uA@200V 封装/外壳:D2PAK 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH802FP | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:6uA@200V 封装/外壳:TO-220FPAC 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH802D | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.05V@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:6uA@200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH60L06CW | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:40A 正向电压Vf:1.55V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:90ns 反向漏电流Ir:25uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 整流二极管 | STTH6003CW | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.25V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:55ns 反向漏电流Ir:60uA@300V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 整流二极管 | STTH6002CW | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.05V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:27ns 反向漏电流Ir:30uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 整流二极管 | STTH5R06D | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:5A 正向电压Vf:2.9V@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:40ns 反向漏电流Ir:20uA@600V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH4R02U | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.05V@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH4R02S | 封装/外壳:DO-214AB 正向浪涌电流Ifsm:70A 反向峰值电压Vrrm:200V 反向电压Vr:200V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.05V 反向漏电流Ir:3uA 反向恢复时间Trr:30ns 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 整流二极管 | STTH4R02B-TR | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:4A 正向电压Vf:1.05V@4A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH3R02 | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:3A 正向电压Vf:1V@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:DO-201AD 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH30R06PI | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:30A 正向电压Vf:1.85V@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:70ns 反向漏电流Ir:25uA@600V 封装/外壳:DOP3I 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH3003CW | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.25V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:40ns 反向漏电流Ir:40uA@300V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 整流二极管 | STTH3002CG | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:1.05V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:22ns 反向漏电流Ir:20uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D2PAK | |
| 整流二极管 | STTH2R02U | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH2R02A | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:2A 正向电压Vf:1V@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH2003CT | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.25V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:20uA@300V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:Through Hole 系列:STTH2003C 最高工作温度:+ 175 C 最低工作温度:- 65 C 配置:Dual Common Cathode 反向电压Vr:300 V 正向电压Vf:1.25Vat10A 正向电流If:20 A | |
| 整流二极管 | STTH20003TV1 | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:300V 正向电流If:100A 正向电压Vf:1.2V@100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:90ns 反向漏电流Ir:200uA@300V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:ISOTOP® | |
| 整流二极管 | STTH20002TV1 | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:120A 正向电压Vf:1.05V@100A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:50ns 反向漏电流Ir:100uA@200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:ISOTOP® | |
| 整流二极管 | STTH1R06U | 封装/外壳:DO-214AA 正向浪涌电流Ifsm:20A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间Trr:45ns 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 整流二极管 | STTH1R06A | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:20A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间Trr:45ns 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 整流二极管 | STTH1R04U | FET类型:标准 反向电压Vr:400V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.5V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:5uA@400V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH1R02RL | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1.5A 正向电压Vf:1V@1.5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:30ns 反向漏电流Ir:3uA@200V 封装/外壳:DO-41 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH1L06U | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:80ns 反向漏电流Ir:1uA@600V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH1L06A | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:20A 反向峰值电压Vrrm:600V 反向电压Vr:600V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.3V 反向漏电流Ir:1uA 反向恢复时间Trr:80ns 工作温度:-65℃~175℃ | |
| 整流二极管 | STTH1512PI | FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:15A 正向电压Vf:2.1V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:105ns 反向漏电流Ir:15uA@1200V 封装/外壳:DOP3I 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1.2KV | |
| 整流二极管 | STTH1506DPI | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:15A 正向电压Vf:3.6V@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:20uA@600V 封装/外壳:DOP3I 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH12T06DI | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2.95V@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:20uA@600V 封装/外壳:TO-220AC ins 工作温度-结:-40°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | STTH12R06DIRG | 封装/外壳:TO-220AC ins FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2.9V@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:45ns 反向漏电流Ir:45uA@600V 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH1212D | FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2.2V@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:100ns 反向漏电流Ir:10uA@1200V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1.2KV | |
| 整流二极管 | STTH1210DI | FET类型:标准 反向电压Vr:1000V 正向电流If:12A 正向电压Vf:2V@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:90ns 反向漏电流Ir:10uA@1000V 封装/外壳:TO-220Ins 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1000V(1KV) | |
| 整流二极管 | STTH12012TV1 | 配置:2 个独立式 FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:60A 正向电压Vf:2.25V@60A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:125ns 反向漏电流Ir:30uA@1200V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:ISOTOP® | |
| 整流二极管 | STTH112U | FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.9V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:5uA@1200V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大) 反向电压Vr:1.2KV | |
| 整流二极管 | STTH110A | 封装/外壳:DO-214AC 正向浪涌电流Ifsm:18A 反向峰值电压Vrrm:1000V 反向电压Vr:1000V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.7V 反向漏电流Ir:10uA 反向恢复时间Trr:75ns 工作温度:-50℃~175℃ | |
| 整流二极管 | STTH102A | FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:970mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:20ns 反向漏电流Ir:1uA@200V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STTH1002CB-TR | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.1V@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:5uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D-Pak | |
| 整流二极管 | STTH1002CB | 配置:1 对共阴极 FET类型:标准 反向电压Vr:200V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.1V@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:25ns 反向漏电流Ir:5uA@200V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D-Pak | |
| 整流二极管 | STPSC806D | FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:600V 正向电流If:8A 正向电压Vf:1.7V@8A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:100uA@600V 结电容Cj:450pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | STPSC2006CW | 配置:1 对共阴极 FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:600V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.7V@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150uA@600V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247 | |
| 整流二极管 | STPSC12065DY | 系列:汽车级,AEC-Q101,ECOPACK®2 反向漏电流Ir:50uA@600V FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:12A 正向电压Vf:1.45V@12A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 结电容Cj:750pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | STPSC1006D | FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:600V 正向电流If:10A 正向电压Vf:1.75V@10A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:300uA@600V 结电容Cj:650pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:-40°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | STPS8H100FP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:8A 正向电压Vf:710mV@8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 封装/外壳:TO-220FPAC 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS8H100D | 正向电压Vf:710mV@8A 封装/外壳:TO-220AC FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS745FP | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:7.5A 正向电压Vf:840mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@45V 封装/外壳:TO-220FPAC 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS745D | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:7.5A 正向电压Vf:840mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@45V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS5H100B-TR | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:5A 正向电压Vf:730mV@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:3.5uA@100V 封装/外壳:D-Pak 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS41L30CG-TR | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:20A 正向电压Vf:480mV@20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5mA@30V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:D2PAK | |
| 整流二极管 | STPS4045CW | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:20A 正向电压Vf:760mV@20A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@45V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 整流二极管 | STPS3L60U | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:3A 正向电压Vf:620mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:150uA@60V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS3L40UF | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:500mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@40V 封装/外壳:SMBflat 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS340U | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:630mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20uA@40V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS340S | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:3A 正向电压Vf:630mV@3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:20uA@40V 封装/外壳:SMC 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS30H100CW | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:15A 正向电压Vf:800mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@100V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 整流二极管 | STPS3045CW | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:570mV@15A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@45V 工作温度-结:200°C(最大) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Through Hole 封装/外壳:TO-247 反向电压Vr:45 V 正向电流If:30 A 正向浪涌电流Ifsm:220 A 配置:Dual Common Cathode 正向电压Vf:0.84V 反向漏电流Ir:200uA 工作温度:+ 175 C | |
| 整流二极管 | STPS2L40U | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:2A 正向电压Vf:430mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:220uA@40V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS2L30A | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:2A 正向电压Vf:450mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@30V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS2H100 | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:2A 正向电压Vf:860mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@100V 封装/外壳:DO-41 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS2150A | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:2A 正向电压Vf:820mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5uA@150V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS2150 | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:2A 正向电压Vf:820mV@2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1.5uA@150V 封装/外壳:DO-15 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS20L25CT | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:25V 正向电流If:10A 正向电压Vf:460mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:800uA@25V 工作温度-结:150°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB | |
| 整流二极管 | STPS20H100CT | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:770mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB | |
| 整流二极管 | STPS20H100CG-TR | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:770mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:D2PAK | |
| 整流二极管 | STPS20H100CFP | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:10A 正向电压Vf:770mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4.5uA@100V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220FP | |
| 整流二极管 | STPS2045CFP | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:570mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@45V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220FP | |
| 整流二极管 | STPS20200CFP | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:200V 正向电流If:10A 正向电压Vf:860mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:15uA@200V 工作温度-结:-40°C ~ 175°C 封装/外壳:TO-220FPAB | |
| 整流二极管 | STPS20150CFP | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:10A 正向电压Vf:920mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:5uA@150V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220FP | |
| 整流二极管 | STPS1L60A | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:570mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@60V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS1L40A | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:500mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:35uA@40V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS1L30U | FET类型:肖特基 反向电压Vr:30V 正向电流If:1A 正向电压Vf:395mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@30V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS1H100U | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:1A 正向电压Vf:770mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@100V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS160A | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:1A 正向电压Vf:670mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:4uA@60V 封装/外壳:SMA(DO-214AC) 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS1545D | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:15A 正向电压Vf:840mV@30A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:200uA@45V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS140U | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:1A 正向电压Vf:550mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:12uA@40V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS1150A | FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:1A 正向电压Vf:820mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@150V 封装/外壳:SMA 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS1045D | FET类型:肖特基 反向电压Vr:45V 正向电流If:10A 正向电压Vf:600mV@10A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:100uA@45V 封装/外壳:TO-220AC 工作温度-结:175°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS10150CT | 配置:1 对共阴极 FET类型:肖特基 反向电压Vr:150V 正向电流If:5A 正向电压Vf:920mV@5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:2uA@150V 工作温度-结:175°C(最大) 封装/外壳:TO-220AB | |
| 整流二极管 | STPS0560Z | FET类型:肖特基 反向电压Vr:60V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:530mV@500mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:50uA@60V 封装/外壳:SOD-123 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | STPS0540Z | FET类型:肖特基 反向电压Vr:40V 正向电流If:500mA 正向电压Vf:500mV@500mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:40uA@40V 封装/外壳:SOD-123 工作温度-结:150°C(最大) | |
| 整流二极管 | VS-121NQ045PBF | 反向电压Vr:45V 正向电压Vf:650mV 反向漏电流Ir:10mA 封装/外壳:D-67 正向电流If:120A | |
| 整流二极管 | JANTX1N3614 | 系列:军用,MIL-PRF-19500/228 FET类型:标准 反向电压Vr:800V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.1V@1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1uA@800V 封装/外壳:A,轴向 工作温度-结:-65°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | UH6PJHM3/87A | 反向电压Vr:600V 正向电压Vf:3V 反向漏电流Ir:10uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-55℃~175℃ 正向电流If:6A | |
| 整流二极管 | STTH112UFY | 系列:汽车级,AEC-Q101,ECOPACK®2 FET类型:标准 反向电压Vr:1200V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.9V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:5uA@1200V 封装/外壳:SMB 工作温度-结:-40°C ~ 175°C | |
| 整流二极管 | SSC53L-E3/57T | 反向电压Vr:30V 正向电压Vf:450mV 反向漏电流Ir:700uA 封装/外壳:DO-214AB 工作温度:-65℃~150℃ 正向电流If:5A | |
| 整流二极管 | SSA24-E3/61T | 反向电压Vr:40V 正向电压Vf:490mV 反向漏电流Ir:200uA 封装/外壳:DO-214AC 工作温度:-65℃~150℃ 正向电流If:2A | |
| 整流二极管 | SS5P6-M3/86A | 反向电压Vr:60V 正向电压Vf:690mV 反向漏电流Ir:150uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:5A | |
| 整流二极管 | SS5P5-M3/86A | 反向电压Vr:50V 正向电压Vf:690mV 反向漏电流Ir:150uA 封装/外壳:TO-277A 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:5A | |
| 整流二极管 | SS3P5-M3/84A | 反向电压Vr:50V 正向电压Vf:780mV 反向漏电流Ir:100uA 封装/外壳:DO-220AA 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:3A | |
| 整流二极管 | SS35-E3/57T | 反向电压Vr:50V 正向电压Vf:750mV 反向漏电流Ir:500uA 封装/外壳:DO-214AB 工作温度:-55℃~150℃ 正向电流If:3A |