IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 整流二极管 | RR1VWM4STFTR | ROHM(罗姆) | 正向电流If:1 A 反向漏电流Ir:10uA 正向电压Vf:1.08V 反向电压Vr:400V 封装/外壳:SMD/SMT 正向浪涌电流Ifsm:15 A 配置:Single |
| 整流二极管 | VS-MBR2045CT-M3 | Vishay(威世) | 正向电流If:10 A 反向浪涌电压Vrrm:45 V 正向电压Vf:0.84V 正向浪涌电流Ifsm:1060 A 配置:Dual Common Cathode 反向漏电流Ir:0.1mA 工作温度:-65°C~150°C |
| 整流二极管 | MBR12100LPS-TP | MICRO COMMERCIAL | FET类型:肖特基 反向电压Vr:100V 正向电流If:12A 正向电压Vf:800mV@12A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:250uA@100V 封装/外壳:TO-277B 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | CDZCT2RA6.8B | ROHM(罗姆) | 齐纳电压Vz:6.8V 偏差:±2% 反向漏电流Ir:500nA@3.5V 封装/外壳:VMN2 封装/外壳:VMN 齐纳电压Vz:6.79V 功率耗散Pd:100mW |
| 整流二极管 | LSM150JE3/TR13 | Microsemi(美高森美) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:50V 正向电流If:1A 正向电压Vf:580mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:1mA@50V 封装/外壳:DO-214BA 工作温度-结:-55°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | CMSH1-20 TR13 | Central(中央半导体) | FET类型:肖特基 反向电压Vr:20V 正向电流If:1A 正向电压Vf:550mV@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向漏电流Ir:500uA@1A 结电容Cj:110pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMB 工作温度-结:-65°C ~ 150°C |
| 整流二极管 | CMR1U-13M TR13 | Central(中央半导体) | FET类型:标准 反向电压Vr:1300V 正向电流If:1A 正向电压Vf:1.9V@1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:75ns 反向漏电流Ir:5uA@1300V 结电容Cj:6pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:SMA 工作温度-结:-65°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | UD4KB100-BP | MICRO COMMERCIAL | FET类型:单相 反向电压Vr:1000V 正向电压Vf:1V@7.5A 反向漏电流Ir:10uA@1000V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:D3K 正向电流If:4A |
| 整流二极管 | IDW12G65C5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:12A(DC) 正向电压Vf:1.7V@12A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:190uA@650V 结电容Cj:360pF @ 1V,1MHz 封装/外壳:PG-TO247-3 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | IDH09G65C5XKSA2 | Infineon(英飞凌) | FET类型:碳化硅肖特基 反向电压Vr:650V 正向电流If:9A(DC) 正向电压Vf:1.7V@9A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间trr:0ns 反向漏电流Ir:160uA@650V 结电容Cj:270pF @ 1V,1MHz 封装/外壳:PG-TO220-2 封装/外壳:PG-TO220-2-1 工作温度-结:-55°C ~ 175°C |
| 整流二极管 | VS-30ETH06STRL-M3 | Vishay(威世) | 封装/外壳:SMD/SMT 反向电压Vr:600V 正向电流If:30 A 配置:Single 正向电压Vf:2V 正向浪涌电流Ifsm:200 A 反向漏电流Ir:0.3uA 反向恢复时间trr:31 ns 系列:FRED Pt 工作温度:-65°C~175°C |
| 整流二极管 | CMSD6001S TR | Central(中央半导体) | 配置:1 对串联 FET类型:标准 反向电压Vr:75V 正向电流If:250mA(DC) 正向电压Vf:1.1V@100mA 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:3µs 反向漏电流Ir:500pA@75V 工作温度-结:-65°C ~ 150°C 封装/外壳:SOT-323 |