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> pSemi(游隼半导体)
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | PE64906 | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | PE64904MLBB | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | PE42641MLBC | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | ATR-S0102DT-ME | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | ATR-S0102DT-E | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | ATR-B0102CT-SC | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | ATR-B0101CT-SC | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | ABO-09004 | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | PE42540E-Z | pSemi(游隼半导体) | |
| 衰减器 | PE43704MLCA-Z | pSemi(游隼半导体) | 衰减值:31.75dB 频率范围:9kHz ~ 8GHz 阻抗:50 欧姆 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 阻抗:50 Ohms |
| RF开关 | PE613050A-Z | pSemi(游隼半导体) | |
| 衰减器 | PE43712A-Z | pSemi(游隼半导体) | 衰减值:31.75dB 频率范围:9kHz ~ 6GHz 阻抗:50 Ohms 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 衰减器 | PE43711B-Z | pSemi(游隼半导体) | 封装/外壳:QFN-24 最大衰减:31.75dB 最大频率:6GHz 位数:7bit 通道数量:1Channel 阻抗:50Ohms 衰减器步长:1dB 介入损耗:2.4dB 最小频率:9kHz 工作电源电压:5.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 衰减器 | PE43704MLCA-Z | pSemi(游隼半导体) | 衰减值:31.75dB 频率范围:9kHz ~ 8GHz 阻抗:50 欧姆 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 阻抗:50 Ohms |
| 衰减器 | PE43702 | pSemi(游隼半导体) | |
| 衰减器 | PE4314B-Z | pSemi(游隼半导体) | 封装/外壳:QFN-20 最大衰减:31.5dB 最大频率:2.5GHz 位数:6bit 通道数量:1Channel 阻抗:75Ohms 衰减器步长:0.5dB 介入损耗:1.5dB 最小频率:1MHz 工作电源电压:3.3V 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 衰减器 | PE4312C-Z | pSemi(游隼半导体) | 封装/外壳:QFN-20 最大衰减:31.5dB 最大频率:4GHz 位数:6bit 通道数量:1Channel 阻抗:50Ohms 衰减器步长:0.5dB 介入损耗:2.1dB 最小频率:1MHz 工作电源电压:2.3Vto5.5V 工作温度:-55°C ~ 105°C |
| 衰减器 | PE4302-52 | pSemi(游隼半导体) | |
| RF开关 | PE42750MLAA-Z | pSemi(游隼半导体) | 频率 - 下:5MHz 频率 - 上:2.2GHz 隔离 @ 频率:57dB @ 2.2GHz(标准) 插损 @ 频率:1.7dB @ 2.2GHz IIP3:47.5dBm(标准) 拓扑:吸收 电路:SPDT P1dB:23.5dBm(标准) IP1dB 阻抗:75 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.63 V RF 类型:CATV 封装/外壳:12-WFQFN 裸露焊盘 |
| RF开关 | PE42742MLIBB-Z | pSemi(游隼半导体) | RF 类型:CATV 拓扑:吸收 电路:SPDT 频率范围:5MHz ~ 2.2GHz 隔离:53.6dB 插入损耗:1.7dB 测试频率:2.2GHz P1dB:32dBm IIP3:53dBm 阻抗:75 欧姆 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.3 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 |
| RF开关 | PE42722A-Z | pSemi(游隼半导体) | |
| RF开关 | PE42721MLBA-Z | pSemi(游隼半导体) | 频率 - 下:5MHz 频率 - 上:2.2GHz 隔离 @ 频率:55dB @ 2.2GHz(标准) 插损 @ 频率:0.65dB @ 2.2GHz IIP3:60dBm(标准) 拓扑:吸收 电路:SPDT 阻抗:75 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:2.3 V ~ 5.5 V RF 类型:CATV 封装/外壳:12-WFQFN 裸露焊盘 频率范围:5MHz ~ 2.2GHz 隔离:55dB 插入损耗:0.65dB 测试频率:2.2GHz IIP3:60dBm |
| RF开关 | PE42641MLBD-Z | pSemi(游隼半导体) | 频率 - 下:100MHz 频率 - 上:3GHz 隔离 @ 频率:29dB @ 2GHz(标准) 插损 @ 频率:0.45dB @ 1GHz IIP3:68dBm(标准) 电路:SP4T 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:2.65 V ~ 2.85 V RF 类型:CDMA,GSM 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘 频率范围:100MHz ~ 3GHz 隔离:29dB 插入损耗:0.45dB 测试频率:2GHz,1GHz IIP3:68dBm |
| RF开关 | PE4259-63 | pSemi(游隼半导体) | |
| RF开关 | PE42582A-X | pSemi(游隼半导体) | |
| RF开关 | PE42551 | pSemi(游隼半导体) | |
| RF开关 | PE42482A-X | pSemi(游隼半导体) | |
| RF开关 | PE42442A-Z | pSemi(游隼半导体) | 频率 - 下:30MHz 频率 - 上:6GHz 隔离 @ 频率:61dB @ 900MHz(标准) 插损 @ 频率:1.1dB @ 900MHz IIP3:58dBm(标准) 拓扑:吸收 电路:SP4T 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 105°C 电压 - 电源:3.3V RF 类型:3G/4G 封装/外壳:24-WFQFN 裸露焊盘 |
| RF开关 | PE42440MLBB-Z | pSemi(游隼半导体) | 拓扑:反光 电路:SP4T 频率范围:50MHz ~ 3GHz 隔离:22dB 插入损耗:0.85dB 测试频率:3GHz P1dB:41.5dBm IIP3:66dBm 阻抗:50 欧姆 电压 - 电源:2.65 V ~ 3.3 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘 |
| RF开关 | PE42424A-Z | pSemi(游隼半导体) | 频率 - 下:100MHz 频率 - 上:6GHz 隔离 @ 频率:48dB @ 2.4GHz(标准) 插损 @ 频率:0.8dB @ 2.5GHz IIP3:61dBm(标准) 拓扑:反光 电路:SPDT P1dB:41dBm(标准) IP1dB 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 105°C 电压 - 电源:2.3 V ~ 5.5 V RF 类型:802.11a/b/g/n/ac 封装/外壳:6-uFDFN 裸露焊盘 |
| RF开关 | PE42422MLAA-Z | pSemi(游隼半导体) | 拓扑:反光 电路:SPDT 频率范围:100MHz ~ 6GHz 隔离:17dB 插入损耗:0.9dB 测试频率:6GHz IIP3:70dBm 阻抗:50 欧姆 电压 - 电源:2.3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:12-uFQFN 裸露焊盘 |
| RF开关 | PE42421SCAA-Z | pSemi(游隼半导体) | 频率 - 下:10MHz 频率 - 上:3GHz 隔离 @ 频率:20dB @ 2GHz(标准) 插损 @ 频率:0.5dB @ 2GHz IIP3:55dBm(标准) 拓扑:反光 电路:SPDT P1dB:30.5dBm(标准) IP1dB 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.3 V 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 频率范围:10MHz ~ 3GHz 隔离:20dB 插入损耗:0.5dB 测试频率:2GHz P1dB:30.5dBm IIP3:55dBm |
| RF开关 | PE42420D-Z | pSemi(游隼半导体) | 频率 - 下:100MHz 频率 - 上:6GHz 隔离 @ 频率:50dB @ 6GHz(标准) 插损 @ 频率:1.6dB @ 6GHz IIP3:65dBm(标准) 拓扑:吸收 电路:SPDT 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 105°C 电压 - 电源:3V 封装/外壳:20-TFLGA 裸露焊盘 |
| RF开关 | PE42424A-Z | pSemi(游隼半导体) | 频率 - 下:100MHz 频率 - 上:6GHz 隔离 @ 频率:48dB @ 2.4GHz(标准) 插损 @ 频率:0.8dB @ 2.5GHz IIP3:61dBm(标准) 拓扑:反光 电路:SPDT P1dB:41dBm(标准) IP1dB 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 105°C 电压 - 电源:2.3 V ~ 5.5 V RF 类型:802.11a/b/g/n/ac 封装/外壳:6-uFDFN 裸露焊盘 |
| 未分类 | PE3511-52 (CUT T&R) | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | PE43205B-Z | pSemi(游隼半导体) | |
| 未分类 | PE43711A-Z | pSemi(游隼半导体) | 衰减值:31.5dB 频率范围:9kHz ~ 6GHz 阻抗:50 Ohms 封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 未分类 | PE3336-53 | pSemi(游隼半导体) | |
| RF开关 | PE42641MLBD-Z | pSemi(游隼半导体) | 频率 - 下:100MHz 频率 - 上:3GHz 隔离 @ 频率:29dB @ 2GHz(标准) 插损 @ 频率:0.45dB @ 1GHz IIP3:68dBm(标准) 电路:SP4T 阻抗:50 欧姆 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:2.65 V ~ 2.85 V RF 类型:CDMA,GSM 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘 频率范围:100MHz ~ 3GHz 隔离:29dB 插入损耗:0.45dB 测试频率:2GHz,1GHz IIP3:68dBm |
| 未分类 | PE4259-63/TR | pSemi(游隼半导体) |