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    未分类 BZT55C6V2 L1 Taiwan Semiconductor
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    未分类 BZT55C27 L1 Taiwan Semiconductor
    未分类 BZD27C15P Taiwan Semiconductor 电压容差:6 % 电压温度系数:0.075 % / C 零件号别名:R2 齐纳电压:14.7 V 功率:4/5W 封装/外壳:Sub SMA 最大反向漏泄电流:1 uA 最大工作温度:+ 175 C 最大齐纳阻抗:10 0hms 最小工作温度:- 65 C
    未分类 BZD27C13P Taiwan Semiconductor
    未分类 BAT42 R0 Taiwan Semiconductor 二极管配置:单路 最大连续正向电流:200mA 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:30V 封装/外壳:DO-35 二极管技术:肖特基 引脚数目:2 长度:3.7mm 宽度:2.1mm 峰值反向回复时间:5ns 封装/外壳:2.1 x 3.7 x 2.1mm 最低工作温度:-65 °C 峰值非重复正向浪涌电流:4A 最高工作温度:+125 °C 峰值反向电流:500nA
    未分类 TS331CX5 Taiwan Semiconductor
    未分类 TS1117BCP Taiwan Semiconductor 输出电流:800 mA 参考电压:1.275 V 电压调节准确度:2 % 零件号别名:RO 输出端数量:1 Ohms 最大工作温度:+ 125 C 封装/外壳:TO-252 输入偏流（最大值）:5 mA 线路调整率:0.5 % 功率:15W 最小工作温度:0 C
    未分类 TS1117BCP33 Taiwan Semiconductor
    未分类 6A60G Taiwan Semiconductor
    未分类 TS34063CD Taiwan Semiconductor
    未分类 TS317CW Taiwan Semiconductor 封装/外壳:SOT-223 零件号别名:RP
    未分类 TS78M12CP Taiwan Semiconductor
    未分类 TS78L09CT Taiwan Semiconductor
    未分类 TS78L03CT Taiwan Semiconductor 输出端数量:1 Ohms 封装/外壳:Ammo 零件号别名:A3 输出类型:Fixed 极性:Positive 输出电压:3.3 V 线路调整率:150 mV 最大工作温度:+ 125 C 封装/外壳:TO-92 最小工作温度:0 C
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    未分类 TS2951CS50 Taiwan Semiconductor
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    未分类 ES1F R3 Taiwan Semiconductor 二极管配置:单路 最大连续正向电流:1A 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:300V 封装/外壳:DO-214AC (SMA) 二极管技术:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:1.3V 长度:4.6mm 宽度:2.83mm 高度:2.5mm 峰值反向回复时间:35ns 封装/外壳:4.6 x 2.83 x 2.5mm 峰值反向电流:100µA 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C 峰值非重复正向浪涌电流:30A
    未分类 LL4448 L0 Taiwan Semiconductor
    未分类 TS9013KCY Taiwan Semiconductor
    未分类 TS4148C RZG Taiwan Semiconductor 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 75V 不同 Vr，F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 封装/外壳:0603 封装/外壳:0603 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
    未分类 SS16 F3 Taiwan Semiconductor
    未分类 ES3D R7 Taiwan Semiconductor 二极管配置:单路 最大连续正向电流:3A 每片芯片元件数目:1 Ohms 峰值反向重复电压:200V 封装/外壳:DO-214AB (SMC) 二极管技术:硅结型 引脚数目:2 最大正向电压降:950mV 长度:7.11mm 宽度:6.22mm 高度:2.62mm 峰值反向回复时间:35ns 封装/外壳:7.11 x 6.22 x 2.62mm 峰值反向电流:500µA 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C 峰值非重复正向浪涌电流:100A
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    未分类 SMAJ188A Taiwan Semiconductor
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    未分类 US1M M2G Taiwan Semiconductor 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1000V 不同 Vr，F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
    未分类 UDZS5V1B RRG Taiwan Semiconductor 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 偏差:±2% 功率:1/5W 阻抗（最大值）（Zzt）:60 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.8µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:2V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 封装/外壳:SOD-323F
    未分类 TSZU52C3V9 RGG Taiwan Semiconductor 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 偏差:±5% 功率:3/20W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:10mA 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:0201 封装/外壳:0603
    未分类 TSZU52C3V0 RGG Taiwan Semiconductor 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3V 偏差:±5% 功率:3/20W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:50µA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:0201 封装/外壳:0603
    未分类 TSZU52C2V2 RGG Taiwan Semiconductor 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.2V 偏差:±5% 功率:3/20W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 Ohms 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:10mA 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:0201 封装/外壳:0603
    未分类 TSSD20L200SW ROG Taiwan Semiconductor
    未分类 TSSA5U50HE3G Taiwan Semiconductor
    未分类 TSM680P06CP Taiwan Semiconductor
    未分类 TSM3911DCX6 RFG Taiwan Semiconductor FET类型:2 个 P 沟道(双) FET类型:标准 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:2.2A(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:140 毫欧 @ 2.2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15.23nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:882.51pF @ 6V 功率:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-26
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    未分类 TS3809CXF RFG Taiwan Semiconductor FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压 - 阈值:2.63V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
    未分类 TS358CS RLG Taiwan Semiconductor 电路数:2 电流 - 输入偏置:45nA 电压 - 输入失调:2mV 电流 - 电源:1.5mA 电流 - 输出/通道:40mA 电压 - 电源，单/双（±）:3 V ~ 32 V 工作温度:0°C ~ 70°C
    未分类 TS3552CS RLG Taiwan Semiconductor 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.75V 电压 - 输入（最大值）:23V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.925V 电压 - 输出（最大值）:20V 电流 - 输出:2A 频率 - 开关:350kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
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    未分类 SS26HM4G Taiwan Semiconductor 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:700mV 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:2A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:400µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:60V 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
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    未分类 SS14 M2G Taiwan Semiconductor 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:40V 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 SS14LH RHG Taiwan Semiconductor
    未分类 SS14HR3G Taiwan Semiconductor 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:200µA @ 40V 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 SS12L RQG Taiwan Semiconductor 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:450mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:400µA @ 20V 封装/外壳:DO-219AB 封装/外壳:Sub SMA 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 SS110 M2G Taiwan Semiconductor 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:800mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 100V 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:DO-214AC(SMA) 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 SRAS850 MNG Taiwan Semiconductor 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:700mV @ 8A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100µA @ 50V 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 封装/外壳:TO-263AB(D²PAK) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
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    未分类 SR506 R0G Taiwan Semiconductor 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:700mV 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:60V 封装/外壳:DO-201AD,轴向 封装/外壳:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
    未分类 SR306 R0G Taiwan Semiconductor 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:700mV 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:500µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:60V 封装/外壳:DO-201AD,轴向 封装/外壳:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
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    未分类 SMBJ40CA M4G Taiwan Semiconductor FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:40V 击穿电压VBR(min):44.4V 箝位电压VCL(max):64.5V 峰值脉冲电流Ipp:9.7A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB)
    未分类 SMBJ33CA M4G Taiwan Semiconductor FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:33V 击穿电压VBR(min):36.7V 箝位电压VCL(max):53.3V 峰值脉冲电流Ipp:11.8A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:DO-214AA(SMB)
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