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    未分类 HFI-201209-1N8S Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:1.8nh 偏差:±0.3nH 额定电流:300mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):100m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:10 @ 100MHz 频率 - 自谐振:4GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0805 封装/外壳:0805 封装/外壳:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.043"(1.10mm) 频率 - 测试:100MHz
    未分类 HFI-201209-1N5S Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:1.5nH 偏差:±0.3nH 额定电流:300mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):100m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:10 @ 100MHz 频率 - 自谐振:4GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0805 封装/外壳:0805 封装/外壳:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.043"(1.10mm)
    未分类 HFI-201209-R15J Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:150nH 偏差:±5% 额定电流:300mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):1 Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:13 @ 50MHz 频率 - 自谐振:500MHz 频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0805 封装/外壳:0805 封装/外壳:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.043"(1.10mm)
    未分类 HFI-201209-2N2S Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:2.2nH 偏差:±0.3nH 额定电流:300mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):100m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:10 @ 100MHz 频率 - 自谐振:4GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0805 封装/外壳:0805 封装/外壳:0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安装(最大值):0.043"(1.10mm) 频率 - 测试:100MHz
    未分类 HFI-160808-33NJ Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:33nH 偏差:±5% 额定电流:600mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):600m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:12 @ 100MHz 频率 - 自谐振:1.2GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0603 封装/外壳:0603 封装/外壳:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.037"(0.95mm)
    未分类 HFI-160808-12NJ Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:12nH 偏差:±5% 额定电流:600mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):350m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:12 @ 100MHz 频率 - 自谐振:2.6GHz 频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0603 封装/外壳:0603 封装/外壳:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.037"(0.95mm)
    未分类 HFI-100505-8N2J Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:8.2nH 偏差:±5% 额定电流:300mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):370 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:8 @ 100MHz 频率 - 自谐振:3.5GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0402 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.024"(0.60mm) 频率 - 测试:100MHz
    未分类 HFI-160808-2N2S Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:2.2nH 偏差:±0.3nH 额定电流:1A 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):100m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:10 @ 100MHz 频率 - 自谐振:6GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0603 封装/外壳:0603 封装/外壳:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.037"(0.95mm) 频率 - 测试:100MHz
    未分类 HFI-160808-1N8S Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:1.8nh 偏差:±0.3nH 额定电流:1A 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):100m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:8 @ 100MHz 频率 - 自谐振:6GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0603 封装/外壳:0603 封装/外壳:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.037"(0.95mm)
    未分类 HFI-160808-1N2S Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:1.2nH 偏差:±0.3nH 额定电流:1A 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):100m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:8 @ 100MHz 频率 - 自谐振:6GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0603 封装/外壳:0603 封装/外壳:0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安装(最大值):0.037"(0.95mm)
    未分类 HFI-100505-2N2S Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:2.2nH 偏差:±0.3nH 额定电流:300mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):160 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:8 @ 100MHz 频率 - 自谐振:6GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0402 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.024"(0.60mm) 频率 - 测试:100MHz
    未分类 HFI-100505-3N3S Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:3.3nH 偏差:±0.3nH 额定电流:300mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):190 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:8 @ 100MHz 频率 - 自谐振:6GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0402 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.024"(0.60mm) 频率 - 测试:100MHz
    未分类 HFI-100505-2N7S Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:2.7nH 偏差:±0.3nH 额定电流:300mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):170m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:8 @ 100MHz 频率 - 自谐振:6GHz 频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0402 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.024"(0.60mm) 电感频率 - 测试:100MHz
    未分类 HFI-100505-12NJ Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:12nH 偏差:±5% 额定电流:250mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):500m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:31 @ 800MHz 频率 - 自谐振:2.7GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0402 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.024"(0.60mm)
    未分类 HFI-100505-10NJ Jaro Components FET类型:绕线 材料 - 磁芯:陶瓷 电感:10nH 偏差:±5% 额定电流:300mA 屏蔽:无屏蔽 DC电阻(DCR):420m Ohms MAX 不同频率时的 Q 值:8 @ 100MHz 频率 - 自谐振:3.2GHz 电感频率 - 测试:100MHz 封装/外壳:0402 封装/外壳:0402 封装/外壳:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.024"(0.60mm)

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