| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | IS31FL3746A-QFLS4-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31SE5001-QFLS2-EB | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV51216HBLL-45TLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS46TR16640CL | ISSI | |
| 未分类 | IS46TR16256ECL | ISSI | |
| 未分类 | IS45S32400F-6TLA1-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS46TR16256ECL-125KB2LA | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP256D-JHLA3-TR_U1395A | ISSI | |
| 未分类 | IS25WP128F-JGLE | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP01GF-JMLE | ISSI | |
| 未分类 | IS46DR16640B-3DBLA1-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS42S32200L-7TLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS41C16105C-50KLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:42-SOJ |
| 未分类 | IS42S32200L-6BL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS42S32400F-6BL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS42S32200L-7TL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS45S32400F-6BLA2-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS45S16400J-7TLA2-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS31SE5001-QFLS2-TR | ISSI | 标准包装数量:3000 系列:IS31SE5001 |
| 未分类 | IS31SE5000-UTLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS45S16320D-7TLA1 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS42S32200L-7BL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS43DR16640B-25DBL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-WBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS43DR81280B-25DBLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5) |
| 未分类 | IS42S32200L-5TL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:200MHz 访问时间:4.8ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS42S32200L-6TL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS43DR81280B-25DBL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5) |
| 未分类 | IS43DR81280B-25EBLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS42S32200L-6BLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS42SM32400H-75BLI | ISSI | |
| 未分类 | IS35ML02G084-BLA1 | ISSI | |
| 未分类 | IS42S32200L-7TL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS45S32400F-6BLA2 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS61WV51216EEBLL-10BLI | ISSI | |
| 未分类 | IS43DR16640B-25DBLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-WBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS42S32200L-7BLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS45S16320D-7BLA1 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS45S32400F-6BLA1 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS43DR81280B-25DBLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5) |
| 未分类 | IS42S32200L-6TLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS45S16320D-7BLA1-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS21ES64G-JCLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS46DR16640B-25DBLA2-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS43DR16640B-3DBL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS42S32200L-7TLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS46DR16640B-25DBLA2 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS46TR16512B-125KBLA1-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS43DR81280B-3DBL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5) |
| 未分类 | IS45S16400J-7TLA2 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS46DR16640B-3DBLA2-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS42S16160G-6TLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS46DR16640B-3DBLA2 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS42S32200L-6BL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS42S32200L-5TL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:200MHz 访问时间:4.8ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS42S32200L-7BL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS41C16100C-50TLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS61LF51218B-7.5TQLI | ISSI | |
| 未分类 | IS42S32200L-6TL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS41C16105C-50TLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS43DR16640B-3DBLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS46DR16640B-3DBLA1 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS41C16100C-50TLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS43DR81280B-3DBLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5) |
| 未分类 | IS43DR16640B-25DBLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-WBGA(8x12.5) |
| 未分类 | IS43DR81280B-3DBLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5) |
| 未分类 | IS45S16800F-6TLA1 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS45S32400F-6BLA1-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS46LD32640B-25BLA25-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS46LD32640B-25BLA25 | ISSI | |
| 未分类 | IS43TR85120BL-107MBL | ISSI | |
| 未分类 | IS42S83200J-7BLI | ISSI | |
| 未分类 | IS43TR16640C-107MBLI | ISSI | |
| 未分类 | IS43LR32320B-5BLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3208-QFLS4-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS25WP064A-RHLE | ISSI | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字,页:800µs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8) |
| 未分类 | IS43DR81280B-3DBL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5) |
| 未分类 | IS31SE5104-GRLS2 | ISSI | |
| 未分类 | IS31SE5100-SALS2 | ISSI | |
| 未分类 | IS31SE5100-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31SE5104-QFLS2-TR | ISSI | 通道数:4 Channel 封装/外壳:3 mm L x 3 mm W x 0.75 mm H 接口类型:I2C 工作温度:- 40 C to + 85 C 电压:5.5V 系列:IS31SE5104 |
| 未分类 | IS45S16800F-6BLA1-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x8) |
| 未分类 | IS41C16100C-50KLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:42-SOJ |
| 未分类 | IS43TR85120BL-125KBLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP01G-RILE | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP128M-JMLE | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP128M-JMLA3 | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP128F-JGLE | ISSI | |
| 未分类 | IS43LD16128B-25BL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:2Gb (128M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) |
| 未分类 | IS61WV102416DALL-10BLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.65 V ~ 2.2 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS43TR16256BL-125KBLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS61LPS51236A-250B3 | ISSI | |
| 未分类 | IS61VPS204836B-250TQLI | ISSI | 封装/外壳:QFP-100 存储类型:Synchronous SRAM 最高时钟频率:250 MHz 存储容量:72 Mbit 组织:2 M x 36 存取时间:2.6 ns 电源电压 - 最大值:2.625 V 电源电压 - 最小值:2.375 V 最大工作电流:270 mA 最高工作温度:+ 85 C 最低工作温度:- 40 C |
| 未分类 | IS46LR32160B-6BLA2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS61NVF51236-7.5TQI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS49NLC96400-25BL | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP064-JBLE-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV12816BLL-45TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV6416DBLL-45B2LI | ISSI | 包装方式:Tray |
| 未分类 | IS49NLS18160-33BLI | ISSI | |
| 未分类 | IS46DR16640B-25DBLA2-TR | ISSI | 最大工作电流:110 mA 最高工作温度:+ 105 C 系列:IS46DR16640B 最低工作温度:- 40 C 标准包装数量:2500 数据匯流排宽度:16 bit 组织:64 M x 16 存储容量:1 Gbit 最高时钟频率:400 MHz 存取时间:400 ps 电源电压 - 最大值:1.9 V 电源电压 - 最小值:1.7 V |