IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | IS61WV51232BLL-10BLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Mb (512K x 32) 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-FBGA(8x13) |
| 未分类 | IS61NLP12836B-200TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4.5Mb (128K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20) |
| 未分类 | IS31LT3350-V1STLS2-TR | ISSI | 封装/外壳:SOT-23-5 工作频率:154 KHz 最大工作温度:+ 85 C 最大电源电流:80 uA 输入电压:6 V to 40 V 输出电流:400 mA |
| 未分类 | IS31BL3229-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3731C-SALS2 | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3730-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3505-SLS2-TR | ISSI | 封装/外壳:MSOP-10 工作频率:1 MHz 最大工作温度:+ 85 C 最大电源电流:2 mA 输入电压:6 V to 30 V |
| 未分类 | IS31FL3236-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31BL3506B-DLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS32BL3552-ZLA3-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31BL3508B-TTLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3196-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3191-UTLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31BL3506A-DLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3918-GRLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3218-GRLS2 | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3218-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3235-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31BL3231-DLS2-TR | ISSI | 封装/外壳:DFN-10 最大工作温度:+ 85 C 输出电流:750 mA |
| 未分类 | IS31LT3352-V1GRLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3731C-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3731-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3216-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31BL3212-STLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3350-V1SDLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS32BL3552-ZLA3 | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3236-TQLS2 | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3360-SDLS4-TR | ISSI | FET类型:Inductive 功率散耗:0.94 W 拓扑学:Buck 最低工作温度:- 40 C 输入电压:6 V to 40 V 操作频率:1 MHz 最大电源电流:600 uA 输出电流:1.2 A 最高工作温度:+ 125 C 输出数:1 Output |
| 未分类 | IS62C256-45U | ISSI | |
| 未分类 | IS31AP2111-ZLS1-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS29GL128-70FLEB | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3117-ZLS4-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS32BL3554-ZLA3-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS61NLF102418-7.5TQLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (1M x 18) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP(14x20) |
| 未分类 | IS31LT3916-SLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3726-ZLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3726-ZLS2 | ISSI | |
| 未分类 | IS31BL3230-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3731-SALS2 | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3728-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3910-GRLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3380-GRLS3-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31BL3506B-STLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3726-QFLS2-TR | ISSI | 封装/外壳:QFN-24 工作频率:20 MHz 最大工作温度:+ 85 C 最大电源电流:1 mA 输入电压:0.4 V 输出电流:22 mA |
| 未分类 | IS31BL3233A-DLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS32BL3554-ZLA3 | ISSI | 最高工作温度:+ 125 C FET类型:Inductive 输入电压:4.5 V to 33 V 输出数:4 Output 输出电流:180 mA 输出类型:Current Mode 封装/外壳:Tube 拓扑学:Boost 操作频率:100 kHz to 1 MHz 最低工作温度:- 40 C 最大电源电流:5 mA |
| 未分类 | IS31FL3193-DLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3948-GRLS2-TR | ISSI | 封装/外壳:SOP-8 最大工作温度:+ 85 C 最大电源电流:400 uA 输入电压:5 V to 100 V |
| 未分类 | IS31LT3354-STLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31FL3199-QFLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3360-SDLS3-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3948-GRLS4-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31BL3506B-TTLS2-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS42RM16160D-7BLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS43QR16256B-083RBL | ISSI | |
| 未分类 | IS61LF25618A-7.5TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4.5Mb (256K x 18) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20) |
| 未分类 | IS25WP01G-RILE | ISSI | |
| 未分类 | IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV51216EFBLL-45TLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV51216EFBLL-45BLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS61NLP51236B-200TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (512K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP(14x20) |
| 未分类 | IS61NLP25636B-200TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS61NLP12836EC-200B3LI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4.5Mb (128K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-TBGA 封装/外壳:165-TFBGA(13x15) |
| 未分类 | IS61NLP102418B-200TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (1M x 18) 时钟频率:200MHz 访问时间:3ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP(14x20) |
| 未分类 | IS61NLF51218B-7.5TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (512K x 18) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS61NLF51218B-7.5TQLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (512K x 18) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS61LPS51236B-200B3LI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (512K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-TBGA 封装/外壳:165-TFBGA(13x15) |
| 未分类 | IS61LPS51218B-200TQLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (512K x 18) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP(14x20) |
| 未分类 | IS61LPS51218B-200TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (512K x 18) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP(14x20) |
| 未分类 | IS61LPS25636B-200TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP(14x20) |
| 未分类 | IS61LPS12836EC-200B3LI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4.5Mb (128K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS61LPS12836EC-200B3LI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4.5Mb (128K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS61LF51218B-7.5TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (512K x 18) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP(14x20) |
| 未分类 | IS61LF25636B-7.5TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS61LF25636B-7.5TQLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS61LF102418B-7.5TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (1M x 18) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP(14x20) |
| 未分类 | IS43TR85120B-125KBLI | ISSI | |
| 未分类 | IS43TR85120B-125KBLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS43R16320F-5TL-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS43LR32160C-6BLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (16M x 32) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS43LD32320C-18BLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (32M x 32) 时钟频率:533MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 未分类 | IS43DR81280C-25DBL-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS34MW02G084-BLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS34MW01G164-BLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS34ML02G084-BLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS34ML01G081-BLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS34ML02G081-BLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS34ML01G084-BLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3954-GRLS4-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS25WP512M-RHLE-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS25WP512M-JLLE-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS25WP080D-JULE-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:32Mb (2M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-VFBGA 封装/外壳:54-VFBGA(6x8) |
| 未分类 | IS41LV16257C-35TLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 访问时间:18ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽),40 引线 封装/外壳:40-TSOP |
| 未分类 | IS41LV16256C-35TLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 访问时间:18ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽),40 引线 封装/外壳:40-TSOP |
| 未分类 | IS31FL3746B-QFLS4-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31BL3506B-STLS2-EB | ISSI |