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    未分类 IS61C64AL-10JLI ISSI
    未分类 IS43R32800D-5BL-TR ISSI
    未分类 IS46DR16160B-3DBLA2-TR ISSI
    未分类 IS46R16320D-5TLA1-TR ISSI
    未分类 IS46DR16320D-25DBLA2-TR ISSI
    未分类 IS46DR16320D-25DBLA2 ISSI
    未分类 IS43R16800E-6TLI ISSI
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    未分类 IS46DR16320D-25DBLA1-TR ISSI
    未分类 IS46DR16160B-25DBLA1-TR ISSI
    未分类 IS46DR16640B-3DBLA2-TR ISSI
    未分类 IS46DR16160B-25DBLA2 ISSI
    未分类 IS46R16160D-6TLA2-TR ISSI 最大工作电流:120 mA 最高工作温度:+ 105 C 系列:IS46R16160D 最低工作温度:- 40 C 标准包装数量:1500 数据匯流排宽度:16 bit 组织:16 M x 16 存储容量:256 Mbit 最高时钟频率:166 MHz 存取时间:0.7 ns 电源电压 - 最大值:2.7 V 电源电压 - 最小值:2.3 V
    未分类 IS46LR32160C-6BLA1-TR ISSI
    未分类 IS46R86400D-6TLA1-TR ISSI
    未分类 IS46DR16640B-3DBLA1-TR ISSI
    未分类 IS46DR16320D-3DBLA2-TR ISSI 最高工作温度:+ 105 C 系列:IS46DR16320D 最低工作温度:- 40 C 数据匯流排宽度:512 Mbit 组织:32 M x 16 存储容量:32 Mbit 最高时钟频率:333 MHz 电源电压 - 最大值:1.9 V 电源电压 - 最小值:1.7 V 最大工作电流:85 mA
    未分类 IS61DDP2B41M18A-400M3L ISSI
    未分类 IS46LR32160C-6BLA2-TR ISSI
    未分类 IS61LPS102436A-166TQLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:36Mb (1M x 36) 时钟频率:166MHz 访问时间:3.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20)
    未分类 IS43R83200D-5TL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (32M x 8) 时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:66-TSOP II
    未分类 IS31IO7328-QFLS4-TR ISSI I/O 数:4 接口:I²C 中断输出:是 输出类型:开路漏极 电流 - 灌/拉输出:10mA,20mA 时钟频率:400kHz 电压 - 电源:2.4 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:16-QFN(3x3)
    未分类 IS42S32800G-6BI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (8M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS62C10248AL-55TLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:8Mb (1M x 8) 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2
    未分类 IS63WV1288DBLL-10TLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP II
    未分类 IS31IO7325-QFLS4-TR ISSI
    未分类 IS61LPS25636A-200B3LI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-TBGA 封装/外壳:165-TFBGA(13x15)
    未分类 IS31IO7328-QFLS4-TR ISSI
    未分类 IS31IO7325-GRLS4-TR ISSI
    未分类 IS65WV1288BLL-55HLA1-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:32-sTSOP I
    未分类 SN3232I310E ISSI
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    未分类 PM25LQ512B-SCE-TR ISSI
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    未分类 PM25LD512C2-ZCE-TR ISSI
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    未分类 PM25LD040-SCE-TR ISSI
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    未分类 ISSI IS25WP040D-JNLA1-TR ISSI
    未分类 IS93C66A-2ZLITR ISSI
    未分类 IS93C56A-2GRLI-TR ISSI
    未分类 IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 时钟频率:104MHz 写周期时间 - 字,页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-VFBGA 封装/外壳:54-VFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE1M16ALL-70BLI ISSI
    未分类 IS66WVC1M16ALL7008XGU29WB ISSI
    未分类 IS66WV51216DALL-70BLI-TR ISSI
    未分类 IS66WV51216DALL-70BLI ISSI
    未分类 IS65WV51216EBLL-45CTLA3-TR ISSI
    未分类 IS65WV25616EBLL-45CTLA1 ISSI
    未分类 IS64WV25616EDBLL-10CTLA1 ISSI
    未分类 IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS64WV25616EBLL-10CTLA1 ISSI
    未分类 IS64LV51216-12TLA3 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字,页:12ns 访问时间:12ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II
    未分类 IS64LPS204836B-166B3LA3 ISSI
    未分类 IS63LV1024L-8TL ISSI
    未分类 IS62WV51216HBLL-45TLI ISSI
    未分类 IS62WV2568BLL-45HLI ISSI
    未分类 IS62WV25616DBLL-55BLI ISSI
    未分类 IS62WV1288BLL-55TI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP I
    未分类 IS62WV12816EALL-55BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:2Mb (128K x 16) 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.65 V ~ 2.2 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    未分类 IS62WV12816BLL-55TI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:2Mb (128K x 16) 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II
    未分类 IS62LV256-70TLI ISSI
    未分类 IS62C256-45ULI ISSI
    未分类 IS62C1024L-70QI ISSI
    未分类 IS62C1024AL-35TI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP I
    未分类 IS61WV6416BLL-XCU19-WB ISSI
    未分类 IS61WV5128BLL-8TL-TR ISSI
    未分类 IS61WV5128BLL-10BI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:36-TFBGA 封装/外壳:36-TFBGA(6x8)
    未分类 IS61WV25632BLL-XCU29-WB ISSI
    未分类 IS61WV25616BLL-XCU29-WB ISSI
    未分类 IS61WV10248EEBLL-10TLI ISSI
    未分类 IS61WV10248EEBLL-10TL ISSI
    未分类 IS61WV102416FBLL-XCU31-WB ISSI
    未分类 IS61WV102416FBLL-T2CU31-WB ISSI
    未分类 IS61WV102416FBLL-10TLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    未分类 IS61VPS51236A-200TQLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (512K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.375 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20)
    未分类 IS61QDPB451236C-550B4L ISSI
    未分类 IS61QDB42M18A-250M3LI ISSI
    未分类 IS61QDB22M18C-250M3L ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:36Mb (2M x 18) 时钟频率:250MHz 访问时间:8.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.71 V ~ 1.89 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:165-LBGA 封装/外壳:165-LFBGA(15x17)
    未分类 IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (512K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.375 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-LFBGA 封装/外壳:165-TFBGA(13x15)
    未分类 IS61NVP25672-250B1I ISSI
    未分类 IS61NLP51218A-200TQI-TR ISSI
    未分类 IS61NLP25636A-200B3I ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-TFBGA 封装/外壳:165-TFBGA(13x15)

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