IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | IS65WV12816BLL-55BLA3-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:2Mb (128K x 16) 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-迷你型BGA(6x8) |
| 未分类 | IS43TR81280BL-125JBLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:78-TFBGA 封装/外壳:78-TWBGA(8x10.5) |
| 未分类 | IS42SM16400K-6BLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x8) |
| 未分类 | IS42S32800B-7TLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (8M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS42S16100E-6BL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TFBGA(6.4x10.1) |
| 未分类 | IS31IO7326-QFLS4-EB | ISSI | 主要用途:接口,键盘扫描仪 嵌入式:否 使用的 IC/零件:IS31IO7326 辅助属性:I²C 接口 所含物品:板 |
| 未分类 | IS43TR16640AL-125JBLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 封装/外壳:96-TWBGA(9x13) |
| 未分类 | IS25CD010-JNLE-TR | ISSI | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Mb (128K x 8) 时钟频率:100MHz 写周期时间 - 字，页:5ms 存储器接口:SPI 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | IS42S16320F-6TLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:167MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS42S32800D-7TLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (8M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS42S32200E-6TL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS42S32800B-7TL | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (8M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |
| 未分类 | IS43TR16640A-125JBL-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:800MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.425 V ~ 1.575 V 工作温度:0°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 封装/外壳:96-TWBGA(9x13) |
| 未分类 | IS45S16160J-7BLA2 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x8) |
| 未分类 | IS42S16320F-7TLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS43R16160D-6TLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:66-TSOP II |
| 未分类 | IS42S32800D-7BI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (8M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS46LR32160B-6BLA1 | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (16M x 32) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:5.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
| 未分类 | IS63WV1024BLL-12JLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:12ns 访问时间:12ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-BSOJ(0.300",7.62mm 宽) 封装/外壳:32-SOJ |
| 未分类 | IS42S16160G-6TLI | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II |
| 未分类 | IS66WV51216EBLL-55BLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8) |
| 未分类 | IS61LP6432A-133TQLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:2Mb (64K x 32) 时钟频率:133MHz 访问时间:4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20) |
| 未分类 | IS42S32160F-6TLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (16M x 32) 时钟频率:167MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II |