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    未分类 IS43TR16128DL-107MBL ISSI
    未分类 IS43TR16128D-107MBL ISSI
    未分类 IS62WV51216ALL-70BI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-迷你型BGA(6x8)
    未分类 IS62WV51216ALL-70BI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-迷你型BGA(6x8)
    未分类 IS61VPS51236A-250B3I ISSI
    未分类 IS62WV10248BLL-55BI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:8Mb (1M x 8) 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-迷你型BGA(7.2x8.7)
    未分类 IS61NLP25636A-250TQL ISSI
    未分类 IS31AP2010F-UTLS2-TR ISSI
    未分类 IS31AP4833-QFLS2-TR ISSI
    未分类 IS41C16105C-50TLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II
    未分类 IS31AP2036-QFLS2-TR ISSI
    未分类 IS61LF51218A-7.5TQLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (512K x 18) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20)
    IS43DR16640B-3DBLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5)
    IS42S16800F-7BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x8)
    IS42S32800D-7B ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (8M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    IS37SML01G1-LLI-TR ISSI
    IS25LP032D-JBLA3-TR ISSI
    未分类 IS61LF102418A-7.5TQLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (1M x 18) 时钟频率:117MHz 访问时间:7.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20)
    未分类 IS42S32400F-75ETLI ISSI
    未分类 IS65C1024AL-45QLA3-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) 封装/外壳:32-SOP
    未分类 IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II
    未分类 IS42S32160B-7TLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (16M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS71LD32160WP128-3BPLI ISSI 存储器类型:非易失 存储器格式:FLASH,RAM 存储容量:128Mb 闪存,512Mb DRAM 时钟频率:133MHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.2V,1.8V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:168-BGA
    未分类 IS71LD32160WP128-25BPLI ISSI 存储器类型:非易失 存储器格式:FLASH,RAM 存储容量:128Mb 闪存,512Mb DRAM 时钟频率:133MHz 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.2V,1.8V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:168-BGA
    未分类 IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 时钟频率:104MHz 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-VFBGA 封装/外壳:54-VFBGA(6x8)
    未分类 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 时钟频率:104MHz 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-VFBGA 封装/外壳:54-VFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVH8M8BLL-100B1LI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:100MHz 写周期时间 - 字，页:40ns 访问时间:40ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:100MHz 写周期时间 - 字，页:40ns 访问时间:40ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 IS32FL3738-ZLA3 ISSI
    未分类 IS66WVH8M8ALL-166B1LI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:36ns 访问时间:36ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:36ns 访问时间:36ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVH16M8ALL-166B1LI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:128Mb (16M x 8) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:36ns 访问时间:36ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:128Mb (16M x 8) 时钟频率:166MHz 写周期时间 - 字，页:36ns 访问时间:36ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE4M16TBLL-70BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    未分类 IS66WVH16M8BLL-100B1LI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:128Mb (16M x 8) 时钟频率:100MHz 写周期时间 - 字，页:40ns 访问时间:40ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:128Mb (16M x 8) 时钟频率:100MHz 写周期时间 - 字，页:40ns 访问时间:40ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    未分类 IS66WVE4M16ALL-7010BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE1M16EBLL-70BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE1M16BLL-70BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE4M16ALL-7010BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE2M16TCLL-70BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:32Mb (2M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    未分类 IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:32Mb (2M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    未分类 IS66WVE2M16EBLL-70BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:32Mb (2M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:32Mb (2M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE2M16ALL-7010BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:32Mb (2M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE2M16ALL-7010BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:32Mb (2M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
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    未分类 IS66WVC4M16ECLL-7010BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
    未分类 IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WV51216EBLL-70BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVC4M16EALL-7010BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:54-VFBGA 封装/外壳:54-VFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:54-VFBGA 封装/外壳:54-VFBGA(6x8)
    未分类 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:32Mb (2M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    未分类 IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:32Mb (2M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
    未分类 IS66WV51216EBLL-70TLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II
    未分类 IS66WV51216EBLL-70TLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II
    未分类 IS65WV25616DBLL-55CTLA3 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II
    未分类 IS66WV1M16EBLL-70BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8)
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    未分类 IS66WV51216BLL-55TLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字，页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II
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