产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
未分类 |
IS61C64AL-10JLI |
ISSI |
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未分类 |
IS43R32800D-5BL-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46DR16160B-3DBLA2-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46R16320D-5TLA1-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46DR16320D-25DBLA2-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46DR16320D-25DBLA2 |
ISSI |
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未分类 |
IS43R16800E-6TLI |
ISSI |
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未分类 |
IS42S16800F-7BL |
ISSI |
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未分类 |
IS46DR16320D-25DBLA1-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46DR16160B-25DBLA1-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46DR16640B-3DBLA2-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46DR16160B-25DBLA2 |
ISSI |
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未分类 |
IS46R16160D-6TLA2-TR |
ISSI |
最大工作电流:120 mA 最高工作温度:+ 105 C 系列:IS46R16160D 最低工作温度:- 40 C 标准包装数量:1500 数据匯流排宽度:16 bit 组织:16 M x 16 存储容量:256 Mbit 最高时钟频率:166 MHz 存取时间:0.7 ns 电源电压 - 最大值:2.7 V 电源电压 - 最小值:2.3 V |
未分类 |
IS46LR32160C-6BLA1-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46R86400D-6TLA1-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46DR16640B-3DBLA1-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS46DR16320D-3DBLA2-TR |
ISSI |
最高工作温度:+ 105 C 系列:IS46DR16320D 最低工作温度:- 40 C 数据匯流排宽度:512 Mbit 组织:32 M x 16 存储容量:32 Mbit 最高时钟频率:333 MHz 电源电压 - 最大值:1.9 V 电源电压 - 最小值:1.7 V 最大工作电流:85 mA |
未分类 |
IS61DDP2B41M18A-400M3L |
ISSI |
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未分类 |
IS46LR32160C-6BLA2-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS61LPS102436A-166TQLI-TR |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:36Mb (1M x 36) 时钟频率:166MHz 访问时间:3.5ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20) |
未分类 |
IS43R83200D-5TL |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (32M x 8) 时钟频率:200MHz 写周期时间 - 字,页:15ns 访问时间:700ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.3 V ~ 2.7 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:66-TSOP II |
未分类 |
IS31IO7328-QFLS4-TR |
ISSI |
I/O 数:4 接口:I²C 中断输出:是 输出类型:开路漏极 电流 - 灌/拉输出:10mA,20mA 时钟频率:400kHz 电压 - 电源:2.4 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-WFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:16-QFN(3x3) |
未分类 |
IS42S32800G-6BI |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (8M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13) |
未分类 |
IS62C10248AL-55TLI |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:8Mb (1M x 8) 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP2 |
未分类 |
IS63WV1288DBLL-10TLI |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP II |
未分类 |
IS31IO7325-QFLS4-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS61LPS25636A-200B3LI-TR |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-TBGA 封装/外壳:165-TFBGA(13x15) |
未分类 |
IS31IO7328-QFLS4-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS31IO7325-GRLS4-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS65WV1288BLL-55HLA1-TR |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-LFSOP(0.465",11.80mm 宽) 封装/外壳:32-sTSOP I |
未分类 |
SN3232I310E |
ISSI |
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未分类 |
SN3218AI424E |
ISSI |
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未分类 |
SN3193I310E |
ISSI |
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未分类 |
SN3193CIK08E |
ISSI |
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未分类 |
SN2010BIF09E |
ISSI |
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未分类 |
SCB13H8G800AF-13K |
ISSI |
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未分类 |
SCB13H8G160AF-13KSCB13H8G160AF |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ512B-SCE-TR |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ512B-SCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ080-SCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ080-BCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ040B-SCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ020B-SCE-TR |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ016-SCE-TR |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ016-SCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ016-BCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ010B-SCE-TR |
ISSI |
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未分类 |
PM25LQ010B-SCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LD512C-SCE-TR |
ISSI |
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未分类 |
PM25LD512C-SCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LD512C2-ZCE-TR |
ISSI |
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未分类 |
PM25LD512C2-SCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LD040-SCE-TR |
ISSI |
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未分类 |
PM25LD040-SCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LD040C-SCE |
ISSI |
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未分类 |
PM25LD020C-SCE-TR |
ISSI |
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未分类 |
ISSI IS25WP040D-JNLA1-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS93C66A-2ZLITR |
ISSI |
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未分类 |
IS93C56A-2GRLI-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 时钟频率:104MHz 写周期时间 - 字,页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-VFBGA 封装/外壳:54-VFBGA(6x8) |
未分类 |
IS66WVE1M16ALL-70BLI |
ISSI |
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未分类 |
IS66WVC1M16ALL7008XGU29WB |
ISSI |
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未分类 |
IS66WV51216DALL-70BLI-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS66WV51216DALL-70BLI |
ISSI |
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未分类 |
IS65WV51216EBLL-45CTLA3-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS65WV25616EBLL-45CTLA1 |
ISSI |
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未分类 |
IS64WV25616EDBLL-10CTLA1 |
ISSI |
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未分类 |
IS64WV25616EDBLL-10BLA3-TR |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4Mb (256K x 16) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(6x8) |
未分类 |
IS64WV25616EBLL-10CTLA1 |
ISSI |
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未分类 |
IS64LV51216-12TLA3 |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:8Mb (512K x 16) 写周期时间 - 字,页:12ns 访问时间:12ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II |
未分类 |
IS64LPS204836B-166B3LA3 |
ISSI |
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未分类 |
IS63LV1024L-8TL |
ISSI |
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未分类 |
IS62WV51216HBLL-45TLI |
ISSI |
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未分类 |
IS62WV2568BLL-45HLI |
ISSI |
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未分类 |
IS62WV25616DBLL-55BLI |
ISSI |
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未分类 |
IS62WV1288BLL-55TI-TR |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP I |
未分类 |
IS62WV12816EALL-55BLI |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:2Mb (128K x 16) 写周期时间 - 字,页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.65 V ~ 2.2 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
未分类 |
IS62WV12816BLL-55TI |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:2Mb (128K x 16) 写周期时间 - 字,页:55ns 访问时间:55ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.5 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:44-TSOP II |
未分类 |
IS62LV256-70TLI |
ISSI |
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未分类 |
IS62C256-45ULI |
ISSI |
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未分类 |
IS62C1024L-70QI |
ISSI |
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未分类 |
IS62C1024AL-35TI |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 写周期时间 - 字,页:35ns 访问时间:35ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:32-TSOP I |
未分类 |
IS61WV6416BLL-XCU19-WB |
ISSI |
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未分类 |
IS61WV5128BLL-8TL-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS61WV5128BLL-10BI |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:4Mb (512K x 8) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:36-TFBGA 封装/外壳:36-TFBGA(6x8) |
未分类 |
IS61WV25632BLL-XCU29-WB |
ISSI |
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未分类 |
IS61WV25616BLL-XCU29-WB |
ISSI |
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未分类 |
IS61WV10248EEBLL-10TLI |
ISSI |
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未分类 |
IS61WV10248EEBLL-10TL |
ISSI |
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未分类 |
IS61WV102416FBLL-XCU31-WB |
ISSI |
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未分类 |
IS61WV102416FBLL-T2CU31-WB |
ISSI |
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未分类 |
IS61WV102416FBLL-10TLI |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
未分类 |
IS61VPS51236A-200TQLI-TR |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (512K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.375 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x20) |
未分类 |
IS61QDPB451236C-550B4L |
ISSI |
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未分类 |
IS61QDB42M18A-250M3LI |
ISSI |
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未分类 |
IS61QDB22M18C-250M3L |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:36Mb (2M x 18) 时钟频率:250MHz 访问时间:8.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.71 V ~ 1.89 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:165-LBGA 封装/外壳:165-LFBGA(15x17) |
未分类 |
IS61NVP51236-200B3I-TR |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:18Mb (512K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.375 V ~ 2.625 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-LFBGA 封装/外壳:165-TFBGA(13x15) |
未分类 |
IS61NVP25672-250B1I |
ISSI |
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未分类 |
IS61NLP51218A-200TQI-TR |
ISSI |
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未分类 |
IS61NLP25636A-200B3I |
ISSI |
存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:9Mb (256K x 36) 时钟频率:200MHz 访问时间:3.1ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:165-TFBGA 封装/外壳:165-TFBGA(13x15) |