IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | IS43LR32800G-5BLI | ISSI | |
| 未分类 | IS34ML01G084-BLI | ISSI | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:1Gb (128M x 8) 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:63-VFBGA 封装/外壳:63-VFBGA |
| 未分类 | IS21ES04G-JCLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS31LT3363-ZLS4-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP512M-RMLE | ISSI | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:512Mb (64M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字，页:1.6ms 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:16-SOIC |
| 未分类 | IS25LP512M-RGLE | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP256D-RGLE | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP128F-RMLE | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP256D-RHLE | ISSI | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:256Mb (32M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字，页:800µs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8) |
| 未分类 | IS29GL256-70DLET-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS29GL256-70DLET | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP032D-JBLA3 | ISSI | |
| 未分类 | IS25LP032D-JMLE | ISSI | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:32Mb (4M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字，页:800µs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:16-SOIC |
| 未分类 | IS25LP032D-JLLE | ISSI | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:32Mb (4M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字，页:800µs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-WSON(6x8) |
| 未分类 | IS24C01B-2ZLI | ISSI | |
| 未分类 | IS34ML04G084-TLI-TR | ISSI | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:4Gb (512M x 8) 写周期时间 - 字，页:25ns 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 封装/外壳:48-TSOP |
| 未分类 | IS25WP256D-RHLE | ISSI | 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:256Mb (32M x 8) 时钟频率:104MHz 写周期时间 - 字，页:800µs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8) |
| 未分类 | IS61VPD102418A-250TQ | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV5128BLL-55HLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV51216BLL-55TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV51216BLL-55BLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV25616BLL-55TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV1288DBLL-45HLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV1288BLL-55TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV1288BLL-55HLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV12816DBLL-45TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62WV12816BLL-55TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62C256AL-45ULI | ISSI | |
| 未分类 | IS62C256AL-45TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62C1024AL-35TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS62C1024AL-35QLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61WV6416DBLL-10TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61WV5128BLL-10TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61WV25616EDBLL-10TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61WV25616BLL-10BLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61WV12816DBLL-10TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61WV12816BLL-12TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61WV102416BLL-10TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61LV6416-10TL | ISSI | |
| 未分类 | IS61LV5128AL-10TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61LV25616AL-10TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61C6416AL-12TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61C6416AL-12KLI | ISSI | 存储器大小:1Mbit 组织:64k x 16 字组数目:64k 每字组的位元数目:16Bit 最长随机存取时间:12ns 封装/外壳:SOJ 引脚数目:44 封装/外壳:28.7 x 10.29 x 3.11mm 高度:3.11mm 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:5 V 长度:28.7mm 宽度:10.29mm 最低工作温度:-40 °C |
| 未分类 | IS61C5128AS-25QLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61C256AL-12TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61C256AL-12JLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS61C256AL-12JLI | ISSI | |
| 未分类 | IS61C25616AL-10TLI | ISSI | 最低工作温度:- 40 C 封装/外壳:TSOP-II 系列:IS61C25616AL FET类型:Asynchronous 标准包装数量:135 存储容量:4 Mbit 组织:128 k x 8 存取时间:10 ns 电源电压 - 最大值:5.5 V 电源电压 - 最小值:4.5 V 最大工作电流:50 mA 最高工作温度:+ 85 C |
| 未分类 | IS61C1024AL-12KLI | ISSI | 存储器大小:1Mbit 组织:128K 个字 x 8 位 字组数目:128K 每字组的位元数目:8Bit 最长随机存取时间:12ns 位址总线宽:17Bit 低功率:是 计时类型:异步 封装/外壳:SOJ 引脚数目:32 封装/外壳:21.08 x 10.29 x 3.75mm 高度:3.75mm 最低工作温度:-40 °C 最小工作电源电压:4.5 V 宽度:10.29mm 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:5.5 V 长度:21.08mm |
| 未分类 | IS61C1024AL-12JLI | ISSI | 存储器大小:1Mbit 组织:128K 个字 x 8 位 字组数目:128K 每字组的位元数目:8Bit 最长随机存取时间:12ns 位址总线宽:17Bit 低功率:是 计时类型:异步 封装/外壳:SOJ 引脚数目:32 封装/外壳:21.08 x 7.75 x 2.67mm 高度:2.67mm 最小工作电源电压:4.5 V 最高工作温度:+85 °C 最大工作电源电压:5.5 V 长度:21.08mm 宽度:7.75mm 最低工作温度:-40 °C |
| 未分类 | IS42S32800D-7TL | ISSI | 存储器大小:256Mbit 组织:8M x 32 位 数据速率:143MHz 数据总线宽度:32Bit 位址总线宽:14Bit 最长随机存取时间:6.5ns 字组数目:8M 封装/外壳:TSOP 引脚数目:86 封装/外壳:22.42 x 10.29 x 1.05mm 高度:1.05mm 长度:22.42mm 最小工作电源电压:3 V 宽度:10.29mm 最高工作温度:+70 °C 最大工作电源电压:3.6 V 最低工作温度:0 °C |
| 未分类 | IS42S32400F-7TL | ISSI | |
| 未分类 | IS42S16800F-7TL | ISSI | |
| 未分类 | IS42S16400J-7TLI | ISSI | 存储容量:64 MB 组织:1 Mbit x 16 访问时间:7 ns 包装方式:Tray 封装/外壳:TSOP-54 数据总线宽度:16 bit 最大工作温度:+ 85 C 最大工作电流:70 mA 最大时钟频率:143 MHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V |
| 未分类 | IS42S16160G-7TLI | ISSI | |
| 未分类 | IS42S16160G-7TL | ISSI | |
| 未分类 | IS42S16100F-7TL | ISSI | 存储器大小:16Mbit 组织:16M x 1 位 数据速率:143MHz 数据总线宽度:16Bit 位址总线宽:12Bit 最长随机存取时间:6ns 字组数目:1M Ohms 封装/外壳:TSOP 引脚数目:50 封装/外壳:21.08 x 10.29 x 1.05mm 高度:1.05mm 长度:21.08mm 最小工作电源电压:3 V 宽度:10.29mm 最高工作温度:+70 °C 最大工作电源电压:3.6 V 最低工作温度:0 °C |
| 未分类 | IS42S16100F-6TL | ISSI | 存储器大小:16Mbit 组织:16M x 1 位 数据速率:166MHz 数据总线宽度:16Bit 位址总线宽:12Bit 最长随机存取时间:6ns 字组数目:1M Ohms 封装/外壳:TSOP 引脚数目:50 封装/外壳:21.08 x 10.29 x 1.05mm 高度:1.05mm 长度:21.08mm 最小工作电源电压:3 V 宽度:10.29mm 最高工作温度:+70 °C 最大工作电源电压:3.6 V 最低工作温度:0 °C |
| 未分类 | IS43TR16512BL-125KBL | ISSI | |
| 未分类 | IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:PSRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC) 封装/外壳:54-VFBGA 封装/外壳:54-VFBGA(6x8) |
| 未分类 | IS25LP512M-JLLE | ISSI | |
| 未分类 | IS61NLP51236-250B3I | ISSI | |
| 未分类 | IS64WV102416BLL-10MA3-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(9x11) |
| 未分类 | IS25LP512M-RHLE | ISSI | |
| 未分类 | IS21ES08G-JCLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS34ML01G084-TLI-TR | ISSI | |
| 未分类 | IS43TR16256AL-107MBLI-TR | ISSI | 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:4Gb (256M x 16) 时钟频率:933MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:20ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC) 封装/外壳:96-TFBGA 封装/外壳:96-TWBGA(9x13) |