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    未分类 IS46DR16640B-3DBLA1-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5)
    未分类 IS42S32200L-7TLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS41C16105C-50KLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:42-SOJ
    未分类 IS42S32200L-6BL-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS42S32400F-6BL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS42S32200L-7TL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS45S32400F-6BLA2-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS45S16400J-7TLA2-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II
    未分类 IS31SE5001-QFLS2-TR ISSI 标准包装数量:3000 系列:IS31SE5001
    未分类 IS31SE5000-UTLS2-TR ISSI
    未分类 IS45S16320D-7TLA1 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II
    未分类 IS42S32200L-7BL-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS43DR16640B-25DBL-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-WBGA(8x12.5)
    未分类 IS43DR81280B-25DBLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5)
    未分类 IS42S32200L-5TL-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:200MHz 访问时间:4.8ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS42S32200L-6TL-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS43DR81280B-25DBL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5)
    未分类 IS43DR81280B-25EBLI-TR ISSI
    未分类 IS42S32200L-6BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS42SM32400H-75BLI ISSI
    未分类 IS35ML02G084-BLA1 ISSI
    未分类 IS42S32200L-7TL-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS45S32400F-6BLA2 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS61WV51216EEBLL-10BLI ISSI
    未分类 IS43DR16640B-25DBLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-WBGA(8x12.5)
    未分类 IS42S32200L-7BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS45S16320D-7BLA1 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x13)
    未分类 IS45S32400F-6BLA1 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS43DR81280B-25DBLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5)
    未分类 IS42S32200L-6TLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS45S16320D-7BLA1-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:512Mb (32M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x13)
    未分类 IS21ES64G-JCLI-TR ISSI
    未分类 IS46DR16640B-25DBLA2-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5)
    未分类 IS43DR16640B-3DBL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5)
    未分类 IS42S32200L-7TLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS46DR16640B-25DBLA2 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5)
    未分类 IS46TR16512B-125KBLA1-TR ISSI
    未分类 IS43DR81280B-3DBL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5)
    未分类 IS45S16400J-7TLA2 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (4M x 16) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II
    未分类 IS46DR16640B-3DBLA2-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5)
    未分类 IS42S16160G-6TLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:256Mb (16M x 16) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II
    未分类 IS46DR16640B-3DBLA2 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5)
    未分类 IS42S32200L-6BL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS42S32200L-5TL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:200MHz 访问时间:4.8ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS42S32200L-7BL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:143MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS41C16100C-50TLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II
    未分类 IS61LF51218B-7.5TQLI ISSI
    未分类 IS42S32200L-6TL ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:64Mb (2M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:86-TSOP II
    未分类 IS41C16105C-50TLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II
    未分类 IS43DR16640B-3DBLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5)
    未分类 IS46DR16640B-3DBLA1 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-TWBGA(8x12.5)
    未分类 IS41C16100C-50TLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II
    未分类 IS43DR81280B-3DBLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5)
    未分类 IS43DR16640B-25DBLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (64M x 16) 时钟频率:400MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:400ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:84-TFBGA 封装/外壳:84-WBGA(8x12.5)
    未分类 IS43DR81280B-3DBLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5)
    未分类 IS45S16800F-6TLA1 ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:54-TSOP II
    未分类 IS45S32400F-6BLA1-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (4M x 32) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:90-TFBGA 封装/外壳:90-TFBGA(8x13)
    未分类 IS46LD32640B-25BLA25-TR ISSI
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    未分类 IS25WP064A-RHLE ISSI 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 存储容量:64Mb (8M x 8) 时钟频率:133MHz 写周期时间 - 字，页:800µs 存储器接口:SPI - 四 I/O, QPI, DTR 电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:24-TBGA 封装/外壳:24-TFBGA(6x8)
    未分类 IS43DR81280B-3DBL-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:1Gb (128M x 8) 时钟频率:333MHz 写周期时间 - 字，页:15ns 访问时间:450ps 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:60-TFBGA 封装/外壳:60-TWBGA(8x10.5)
    未分类 IS31SE5104-GRLS2 ISSI
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    未分类 IS45S16800F-6BLA1-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:128Mb (8M x 16) 时钟频率:166MHz 访问时间:5.4ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TFBGA 封装/外壳:54-TFBGA(8x8)
    未分类 IS41C16100C-50KLI-TR ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 访问时间:25ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 封装/外壳:42-SOJ
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    未分类 IS61WV102416DALL-10BLI ISSI 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:1.65 V ~ 2.2 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
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    未分类 IS46DR16640B-25DBLA2-TR ISSI 最大工作电流:110 mA 最高工作温度:+ 105 C 系列:IS46DR16640B 最低工作温度:- 40 C 标准包装数量:2500 数据匯流排宽度:16 bit 组织:64 M x 16 存储容量:1 Gbit 最高时钟频率:400 MHz 存取时间:400 ps 电源电压 - 最大值:1.9 V 电源电压 - 最小值:1.7 V

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