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    未分类 CDBA120SL-G Comchip Technology 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:310mV @ 1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 不同 Vr，F 时的电容:160pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-214AC,SMA 封装/外壳:SMA-F / DO-214AC 工作温度 - 结:-20°C ~ 80°C
    未分类 CZRT23C18-HF Comchip Technology
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    未分类 CGRTS4007-HF Comchip Technology
    未分类 ACGRTS4007-HF Comchip Technology
    未分类 ZENER-KIT Comchip Technology 套件类型:齐纳 数量:300 件(30 个值 - 每个值 10 件) 包括封装:0503,0603,1005
    未分类 Z4GP208L-HF Comchip Technology 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV @ 2A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 800V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:4-SMD,无引线 封装/外壳:ABS(Z4)
    未分类 Z4GP210L-HF Comchip Technology 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:1KV 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV @ 2A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:4-SMD,无引线 封装/外壳:ABS(Z4)
    未分类 Z4GP208-HF Comchip Technology 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 2A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 800V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:4-SMD,无引线 封装/外壳:ABS(Z4)
    未分类 Z4GP206L-HF Comchip Technology 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:2A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:600V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:4-SMD,无引线 封装/外壳:ABS(Z4)
    未分类 UF3008-G Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr，F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 Z4GP206-HF Comchip Technology 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 2A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:4-SMD,无引线 封装/外壳:ABS(Z4)
    未分类 Z4DGP410L-HF Comchip Technology 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:1KV 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV @ 4A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:Z4-D 封装/外壳:Z4-D
    未分类 UF3008-HF Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1000V 不同 Vr，F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 Z4DGP408L-HF Comchip Technology 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV @ 4A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 800V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:Z4-D 封装/外壳:Z4-D
    未分类 Z4DGP406L-HF Comchip Technology 二极管类型:单相 电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:950mV @ 4A 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:Z4-D 封装/外壳:Z4-D
    未分类 UF4003-G Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:1A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 200V 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:200V 不同 Vr，F 时的电容:20pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 封装/外壳:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
    未分类 UF3007-HF Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 800V 不同 Vr，F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 UF3006-HF Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 不同 Vr，F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 UF3005-HF Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 400V 不同 Vr，F 时的电容:50pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 UF3004-G Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 300V 不同 Vr，F 时的电容:50pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 UF3006-G Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 600V 不同 Vr，F 时的电容:30pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 UF3004-HF Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:300V 不同 Vr，F 时的电容:50pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 UF3003-G Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 200V 不同 Vr，F 时的电容:50pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 TVP06B620CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 UF3001-HF Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V 电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If:3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA 电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:50V 不同 Vr，F 时的电容:50pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 UF3001-G Comchip Technology 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 50V 不同 Vr，F 时的电容:50pF @ 4V,1MHz 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 封装/外壳:DO-27 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
    未分类 TVP06B7V5A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:6.4V 击穿电压VBR(min):7.13V 箝位电压VCL(max):11.3V 峰值脉冲电流Ipp:53.1A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B750CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B9V1A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:7.8V 击穿电压VBR(min):8.65V 箝位电压VCL(max):13.4V 峰值脉冲电流Ipp:44.78A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B910A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B8V2CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:7V 击穿电压VBR(min):7.79V 箝位电压VCL(max):12.1V 峰值脉冲电流Ipp:49.59A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B820A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B7V5CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:6.4V 击穿电压VBR(min):7.13V 箝位电压VCL(max):11.3V 峰值脉冲电流Ipp:53.1A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B6V8CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5.8V 击穿电压VBR(min):6.46V 箝位电压VCL(max):10.5V 峰值脉冲电流Ipp:57.14A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B6V8A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5.8V 击穿电压VBR(min):6.46V 箝位电压VCL(max):10.5V 峰值脉冲电流Ipp:57.14A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B680CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B551CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:470.3V 击穿电压VBR(min):522.5V 箝位电压VCL(max):759V 峰值脉冲电流Ipp:790mA 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B620A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B601A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:513V 击穿电压VBR(min):570V 箝位电压VCL(max):828V 峰值脉冲电流Ipp:720mA 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B560CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B521CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:444.6V 击穿电压VBR(min):494V 箝位电压VCL(max):717.6V 峰值脉冲电流Ipp:840mA 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B521A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:444.6V 击穿电压VBR(min):494V 箝位电压VCL(max):717.6V 峰值脉冲电流Ipp:840mA 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B501CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:427.5V 击穿电压VBR(min):475V 箝位电压VCL(max):690V 峰值脉冲电流Ipp:870mA 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B501A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:427.5V 击穿电压VBR(min):475V 箝位电压VCL(max):690V 峰值脉冲电流Ipp:870mA 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B470CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B221CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:185V 击穿电压VBR(min):209V 箝位电压VCL(max):328V 峰值脉冲电流Ipp:1.83A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B470A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B351CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:299.3V 击穿电压VBR(min):332.5V 箝位电压VCL(max):482V 峰值脉冲电流Ipp:1.24A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B441CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:376.2V 击穿电压VBR(min):418V 箝位电压VCL(max):607.2V 峰值脉冲电流Ipp:990mA 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B351A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:299.3V 击穿电压VBR(min):332.5V 箝位电压VCL(max):482V 峰值脉冲电流Ipp:1.24A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B441A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:376.2V 击穿电压VBR(min):418V 箝位电压VCL(max):607.2V 峰值脉冲电流Ipp:990mA 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B430CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B430A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B401CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:342V 击穿电压VBR(min):380V 箝位电压VCL(max):548V 峰值脉冲电流Ipp:1.09A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B401A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:342V 击穿电压VBR(min):380V 箝位电压VCL(max):548V 峰值脉冲电流Ipp:1.09A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B381CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:324.9V 击穿电压VBR(min):361V 箝位电压VCL(max):524.4V 峰值脉冲电流Ipp:1.14A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B161A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:136V 击穿电压VBR(min):152V 箝位电压VCL(max):219V 峰值脉冲电流Ipp:2.74A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B301CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:256V 击穿电压VBR(min):285V 箝位电压VCL(max):414V 峰值脉冲电流Ipp:1.45A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B251CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:214V 击穿电压VBR(min):237.5V 箝位电压VCL(max):344V 峰值脉冲电流Ipp:1.74A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B251A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:214V 击穿电压VBR(min):237.5V 箝位电压VCL(max):344V 峰值脉冲电流Ipp:1.74A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B171A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:145V 击穿电压VBR(min):161.5V 箝位电压VCL(max):234V 峰值脉冲电流Ipp:2.56A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B161CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:136V 击穿电压VBR(min):152V 箝位电压VCL(max):219V 峰值脉冲电流Ipp:2.74A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B221A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:185V 击穿电压VBR(min):209V 箝位电压VCL(max):328V 峰值脉冲电流Ipp:1.83A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B201CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:171V 击穿电压VBR(min):190V 箝位电压VCL(max):274V 峰值脉冲电流Ipp:2.19A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B201A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:171V 击穿电压VBR(min):190V 箝位电压VCL(max):274V 峰值脉冲电流Ipp:2.19A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
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    未分类 TVP06B171CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:145V 击穿电压VBR(min):161.5V 箝位电压VCL(max):234V 峰值脉冲电流Ipp:2.56A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TV50C800JB-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:80V 击穿电压VBR(min):88.8V 箝位电压VCL(max):129.6V 峰值脉冲电流Ipp:38.97A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB(SMC)
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    未分类 TVP06B121CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:102V 击穿电压VBR(min):114V 箝位电压VCL(max):165V 峰值脉冲电流Ipp:3.64A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TV50C850JB-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:85V 击穿电压VBR(min):94.4V 箝位电压VCL(max):137V 峰值脉冲电流Ipp:36.86A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB(SMC)
    未分类 TV50C850J-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:85V 击穿电压VBR(min):94.4V 箝位电压VCL(max):137V 峰值脉冲电流Ipp:36.86A 功率 - 峰值脉冲:3000W(3kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AB,SMC 封装/外壳:DO-214AB(SMC)
    未分类 TVP06B111CA-G Comchip Technology FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:94V 击穿电压VBR(min):104.5V 箝位电压VCL(max):152V 峰值脉冲电流Ipp:3.95A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
    未分类 TVP06B111A-G Comchip Technology FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:94V 击穿电压VBR(min):104.5V 箝位电压VCL(max):152V 峰值脉冲电流Ipp:3.95A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AA,SMB 封装/外壳:SMB(DO-214AA)
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