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    未分类 P6KE51A-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:43.6V 击穿电压VBR(min):48.45V 箝位电压VCL(max):70.1V 峰值脉冲电流Ipp:8.56A
    未分类 P6KE51CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:43.6V 击穿电压VBR(min):48.45V 箝位电压VCL(max):70.1V 峰值脉冲电流Ipp:8.56A
    未分类 1.5KE150CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:128V 击穿电压VBR(min):142.5V 箝位电压VCL(max):207V 峰值脉冲电流Ipp:7.25A
    未分类 1.5KE27CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:23.1V 击穿电压VBR(min):25.65V 箝位电压VCL(max):37.5V 峰值脉冲电流Ipp:40A
    未分类 P6KE39CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:33.3V 击穿电压VBR(min):37.05V 箝位电压VCL(max):53.9V 峰值脉冲电流Ipp:11.13A
    未分类 TV02W200B-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD-123 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:20V 击穿电压VBR(min):22.2V 箝位电压VCL(max):32.4V 峰值脉冲电流Ipp:6.17A
    未分类 1.5KE36CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:30.8V 击穿电压VBR(min):34.2V 箝位电压VCL(max):49.9V 峰值脉冲电流Ipp:30.06A
    未分类 TV02W200B-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:200W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD-123 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:20V 击穿电压VBR(min):22.2V 箝位电压VCL(max):32.4V 峰值脉冲电流Ipp:6.17A
    未分类 ATV02W200B-HF COMCHIP 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD-123 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:20V 击穿电压VBR(min):22.2V 箝位电压VCL(max):32.4V 峰值脉冲电流Ipp:6.17A 功率 - 峰值脉冲:200W
    未分类 ATV04A220JB-HF COMCHIP 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AC,SMA FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:22V 击穿电压VBR(min):24.4V 箝位电压VCL(max):35.5V 峰值脉冲电流Ipp:11.27A 功率 - 峰值脉冲:400W
    未分类 TV04A220JB-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AC,SMA FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:22V 击穿电压VBR(min):24.4V 箝位电压VCL(max):35.5V 峰值脉冲电流Ipp:11.27A
    未分类 P6KE56CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:47.8V 击穿电压VBR(min):53.2V 箝位电压VCL(max):77V 峰值脉冲电流Ipp:7.79A
    未分类 P6KE300CA-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:256V 击穿电压VBR(min):285V 箝位电压VCL(max):414V 峰值脉冲电流Ipp:1.45A
    未分类 P6KE200CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:171V 击穿电压VBR(min):190V 箝位电压VCL(max):274V 峰值脉冲电流Ipp:2.19A
    未分类 P6KE27CA-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:23.1V 击穿电压VBR(min):25.65V 箝位电压VCL(max):37.5V 峰值脉冲电流Ipp:16A
    未分类 TV04A150JB-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AC,SMA FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:15V 击穿电压VBR(min):16.7V 箝位电压VCL(max):24.4V 峰值脉冲电流Ipp:16.39A
    未分类 ATV04A150JB-HF COMCHIP 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AC,SMA FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:15V 击穿电压VBR(min):16.7V 箝位电压VCL(max):24.4V 峰值脉冲电流Ipp:16.39A 功率 - 峰值脉冲:400W
    未分类 P6KE520CA-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:444.6V 击穿电压VBR(min):494V 箝位电压VCL(max):717.6V 峰值脉冲电流Ipp:840mA
    未分类 P6KE250A-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:214V 击穿电压VBR(min):237.5V 箝位电压VCL(max):344V 峰值脉冲电流Ipp:1.74A
    未分类 P6KE400A-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:342V 击穿电压VBR(min):380V 箝位电压VCL(max):548V 峰值脉冲电流Ipp:1.09A
    未分类 P6KE600A-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:513V 击穿电压VBR(min):570V 箝位电压VCL(max):828V 峰值脉冲电流Ipp:720mA
    未分类 P6KE300A-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:256V 击穿电压VBR(min):285V 箝位电压VCL(max):414V 峰值脉冲电流Ipp:1.45A
    未分类 TV04A150JB-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-214AC,SMA FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:15V 击穿电压VBR(min):16.7V 箝位电压VCL(max):24.4V 峰值脉冲电流Ipp:16.39A
    未分类 P6KE170A-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:145V 击穿电压VBR(min):161.5V 箝位电压VCL(max):234V 峰值脉冲电流Ipp:2.56A
    未分类 P6KE600CA-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:513V 击穿电压VBR(min):570V 箝位电压VCL(max):828V 峰值脉冲电流Ipp:720mA
    未分类 P6KE350CA-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:299.3V 击穿电压VBR(min):332.5V 箝位电压VCL(max):482V 峰值脉冲电流Ipp:1.24A
    未分类 P6KE350A-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:299.3V 击穿电压VBR(min):332.5V 箝位电压VCL(max):482V 峰值脉冲电流Ipp:1.24A
    未分类 P6KE180A-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:154V 击穿电压VBR(min):171V 箝位电压VCL(max):246V 峰值脉冲电流Ipp:2.44A
    未分类 P6KE200A-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:171V 击穿电压VBR(min):190V 箝位电压VCL(max):274V 峰值脉冲电流Ipp:2.19A
    未分类 P6KE200CA-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:171V 击穿电压VBR(min):190V 箝位电压VCL(max):274V 峰值脉冲电流Ipp:2.19A
    未分类 1.5KE220CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:185V 击穿电压VBR(min):209V 箝位电压VCL(max):328V 峰值脉冲电流Ipp:4.57A
    未分类 1.5KE220A-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:185V 击穿电压VBR(min):209V 箝位电压VCL(max):328V 峰值脉冲电流Ipp:4.57A
    未分类 P6KE33CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:28.2V 击穿电压VBR(min):31.35V 箝位电压VCL(max):45.7V 峰值脉冲电流Ipp:13.13A
    未分类 1.5KE120A-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:102V 击穿电压VBR(min):114V 箝位电压VCL(max):165V 峰值脉冲电流Ipp:9.09A
    未分类 1.5KE120CA-G COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:102V 击穿电压VBR(min):114V 箝位电压VCL(max):165V 峰值脉冲电流Ipp:9.09A
    未分类 ACPDQC5V0USP-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:0.6pF @ 1MHz 封装/外壳:SOD-923 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V(最大) 击穿电压VBR(min):5.4V 箝位电压VCL(max):20V 峰值脉冲电流Ipp:2.5A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:50W
    未分类 CPDU5V0C-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:25pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V 箝位电压VCL(max):17V 峰值脉冲电流Ipp:4A(8/20µs)
    未分类 CPDER12V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 封装/外壳:0503 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDURT5V0H-HF COMCHIP
    未分类 CPDQR5V0H-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:140W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:20pF @ 1MHz 封装/外壳:0402 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):5.5V 箝位电压VCL(max):20V 峰值脉冲电流Ipp:7A(8/20µs)
    未分类 CSRV065V0P COMCHIP 电源线路保护:是 工作温度:-55°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 FET类型:转向装置(轨至轨) 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:5V(最大) 击穿电压VBR(min):6V 箝位电压VCL(max):9V 峰值脉冲电流Ipp:6.5A(8/20µs)
    未分类 CPDVR083V3U-KH COMCHIP
    未分类 CPDQR5V0C-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:58W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:25pF @ 1MHz 封装/外壳:0402 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V 箝位电压VCL(max):14.5V 峰值脉冲电流Ipp:4A(8/20µs)
    未分类 CPDH3-5V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:80W 电源线路保护:无 封装/外壳:SOT-523 FET类型:齐纳 单向通道:2 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V 箝位电压VCL(max):10V 峰值脉冲电流Ipp:8A(8/20µs)
    未分类 CPDVR083V3UA COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:40W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:25pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-383F FET类型:齐纳 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:3.3V(最大) 箝位电压VCL(max):8V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDT5-5V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:80W 电源线路保护:无 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:齐纳 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V 箝位电压VCL(max):10V 峰值脉冲电流Ipp:8A(8/20µs)
    未分类 CPDUR5V0C-HF COMCHIP
    未分类 CPDER5V0C-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:25pF @ 1MHz 封装/外壳:0503 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V
    未分类 CPDFR5V0U COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:75W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:15pF @ 1MHz 封装/外壳:1005 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):5.1V 箝位电压VCL(max):15V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDF3V3UP-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:40W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:1005 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:3.3V 箝位电压VCL(max):8V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDQR24V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:150W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:35pF @ 1MHz 封装/外壳:0402 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):26.5V 箝位电压VCL(max):50V 峰值脉冲电流Ipp:3A(8/20µs)
    未分类 CPDQR24V0U COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:150W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:35pF @ 1MHz 封装/外壳:0402 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):26.5V 箝位电压VCL(max):50V 峰值脉冲电流Ipp:3A(8/20µs)
    未分类 CPDQR3-5V0UP COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:10pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:0402 FET类型:转向装置(轨至轨) 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6V 箝位电压VCL(max):12.5V 峰值脉冲电流Ipp:2A(8/20µs)
    未分类 CPDER24V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:150W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:35pF @ 1MHz 封装/外壳:0503 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):26.5V 箝位电压VCL(max):50V 峰值脉冲电流Ipp:3A(8/20µs)
    未分类 CPDH5-5V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:80W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:60pF @ 1MHz 封装/外壳:SOT-553 FET类型:齐纳 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V 箝位电压VCL(max):10V 峰值脉冲电流Ipp:8A(8/20µs)
    未分类 CPDV3-5V0C-HF COMCHIP 电源线路保护:无 封装/外壳:SC-70,SOT-323 FET类型:齐纳 双向通道:2 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V
    未分类 CPDTR0324V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:150W 电源线路保护:无 封装/外壳:3-SMD,无引线 FET类型:齐纳 单向通道:2 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):26.5V 箝位电压VCL(max):50V 峰值脉冲电流Ipp:3A(8/20µs)
    未分类 CPDVR083V3UA-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:40W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:25pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:SOT-383F FET类型:齐纳 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:3.3V(最大) 箝位电压VCL(max):8V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDV5-5V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:80W 电源线路保护:无 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 FET类型:齐纳 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V 箝位电压VCL(max):10V 峰值脉冲电流Ipp:8A(8/20µs)
    未分类 CPDTR035V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:80W 电源线路保护:无 封装/外壳:3-SMD,无引线 FET类型:齐纳 单向通道:2 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6V 箝位电压VCL(max):10V 峰值脉冲电流Ipp:8A(8/20µs)
    未分类 CPDER24V-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:47W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:10pF @ 1MHz 封装/外壳:0503 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):25V 箝位电压VCL(max):47V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDF24V-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:47W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:10pF @ 1MHz 封装/外壳:1005 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 ACPDUC5V0-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:15pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):5.1V 箝位电压VCL(max):15V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:75W
    未分类 CPDTR035V0C-HF COMCHIP 电源线路保护:无 封装/外壳:3-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:2 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V
    未分类 CPDER24V0U COMCHIP
    未分类 CPDV3-5V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:80W 电源线路保护:无 封装/外壳:SC-70,SOT-323 FET类型:齐纳 单向通道:2 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V 箝位电压VCL(max):10V 峰值脉冲电流Ipp:8A(8/20µs)
    未分类 CPDTR035V0-HF COMCHIP
    未分类 CPDTR035V0H-HF COMCHIP
    未分类 CPDTR0312V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:120W 电源线路保护:无 封装/外壳:3-SMD,无引线 FET类型:齐纳 单向通道:2 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13.3V 箝位电压VCL(max):24V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDQR12V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:120W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:60pF @ 1MHz 封装/外壳:0402 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13.3V 箝位电压VCL(max):24V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDF12V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 封装/外壳:1005 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDFR12V-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 封装/外壳:1005 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDER12V-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 封装/外壳:0503 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDER12V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:120W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:60pF @ 1MHz 封装/外壳:0503 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13.3V 箝位电压VCL(max):24V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDF12V-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 封装/外壳:1005 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):15V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDU12V-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 ACPDQC5V0R-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:24pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:0402 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V(最大) 击穿电压VBR(min):5.6V 箝位电压VCL(max):12V 峰值脉冲电流Ipp:11A(8/20µs)
    未分类 ACPDQC5V0C-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:25pF @ 1MHz 封装/外壳:SOD-923 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V(最大) 击穿电压VBR(min):6.1V 箝位电压VCL(max):14.5V 峰值脉冲电流Ipp:4A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:58W
    未分类 CPDF12V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:120W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:60pF @ 1MHz 封装/外壳:1005 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13.3V 箝位电压VCL(max):24V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDZ9V0U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:35W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:14pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:0201 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:9V(最大) 击穿电压VBR(min):10V 箝位电压VCL(max):17.5V 峰值脉冲电流Ipp:2A(8/20µs)
    未分类 CPDUR12V0U-HF COMCHIP
    未分类 ACPDT-12VUA-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:齐纳 单向通道:2 反向对峙电压VRWM:12V 箝位电压VCL(max):28V 峰值脉冲电流Ipp:12A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:300W
    未分类 ACPDUC24V-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:10pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):25V 箝位电压VCL(max):47V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:47W
    未分类 ACPDQC5V0-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:15pF @ 1MHz 封装/外壳:SOD-923 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):5.1V 箝位电压VCL(max):15V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:75W
    未分类 CPDQR12V0U COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:120W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:60pF @ 1MHz 封装/外壳:0402 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13.3V 箝位电压VCL(max):24V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDVR085V0C-HF COMCHIP 电源线路保护:无 封装/外壳:SOT-383F FET类型:齐纳 双向通道:4 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.1V
    未分类 CPDF24V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:47W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:10pF @ 1MHz 封装/外壳:1005 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):25V 箝位电压VCL(max):47V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CSRS045V0P-HF COMCHIP 电源线路保护:是 工作温度:-55°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA FET类型:转向装置(轨至轨) 单向通道:2 反向对峙电压VRWM:5V(最大) 击穿电压VBR(min):6.2V 箝位电压VCL(max):9V 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs)
    未分类 CPDU12V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDT-12V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:齐纳 双向通道:2 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDFR12V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 封装/外壳:1005 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDU12V0U COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:120W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:60pF @ 1MHz 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13.3V 箝位电压VCL(max):24V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs)
    未分类 CPDU24V-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:47W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:10pF @ 1MHz 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):25V 箝位电压VCL(max):47V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDZ3V3U-HF COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:70W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:35pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:0201 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:3.3V(最大) 击穿电压VBR(min):5.7V 箝位电压VCL(max):10.6V 峰值脉冲电流Ipp:6.5A(8/20µs)
    未分类 CPDUR24V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:47W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:10pF @ 1MHz 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):25V 箝位电压VCL(max):47V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 ACPDQC5V0U-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 封装/外壳:SOD-923 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6V 箝位电压VCL(max):12.5V 峰值脉冲电流Ipp:16A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:200W
    未分类 CPDT-24V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:47W 电源线路保护:无 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:齐纳 双向通道:2 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):25V 箝位电压VCL(max):47V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDU24V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:47W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:10pF @ 1MHz 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:24V 击穿电压VBR(min):25V 箝位电压VCL(max):47V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 CPDUR12V COMCHIP 功率 - 峰值脉冲:25W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:12pF @ 1MHz 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V 击穿电压VBR(min):13V 箝位电压VCL(max):25V 峰值脉冲电流Ipp:1A(8/20µs)
    未分类 ACPDUC5V0U-HF COMCHIP 电源线路保护:无 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:2-SMD,无引线 FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6V 箝位电压VCL(max):12.5V 峰值脉冲电流Ipp:16A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:200W

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