2020年12月29日，韩国科学和信息与通信技术部（MSIT）发布了2021年项目实施计划的下一代智能半导体（设备）研发计划。
该研发计划旨在克服现有半导体技术的局限性，致力于创新开发下一代超低功耗，高性能半导体器件的核心技术。
期限为10年（2020年至2029年），金额为2,405亿韩元。
1.实施策略和内容，以避免基于纸的研究，并促进早期成果的商业化和IP核的应用，包括：（1）引入竞争性的R＆amp; D模型，评估每个步骤，并确定项目继续支持; （2）支持Crystal Circle级集成和验证（与以下R＆amp; D协调）。
R＆amp; D的三种类型包括：（1）基于概念的新基础技术（自由竞争模式）：这种类型的R＆D旨在破坏性创新并促进半导体范式的变化。
这类项目的年度资金不超过2亿韩元，三年后将进行评估以确定后续支持。
（2）新设备技术（针对竞争模式）：这种类型的研发旨在开发与CMOS工艺兼容的各种新设备技术（例如超低压，3D集成，内存计算，设备系统架构，布线融合，大脑仿真等），以达到超低功耗和高性能的目标。
这些项目的年度资金约为10亿韩元。
（3）新型器件集成和验证技术（具有清晰内容的竞争模型）：这种类型的研发旨在支持晶片级集成和验证（集成工艺和基于设计的技术开发等），以促进晶片的商业化。
在实验室化开发的组件。
这些项目的年度资金约为30亿韩元。
2. 2020年的资金投入2020年，下一代智能半导体（设备）研发计划选择并支持了24个新项目，总金额为120亿韩元。
其中，有7项新概念基础技术项目，总金额达7亿韩元； 15个新设备技术项目，总金额为77.5亿韩元； 2个新的设备集成和验证技术项目，总金额达30亿韩元。
3. 2021年的资金计划2021年，韩国将增加对下一代智能半导体器件研发计划的投资，加强项目团队与机构之间的合作，并加快创新步伐。
2021年的总预算为339.97亿韩元，其中229亿韩元将用于继续支持2020年选定的项目，103.18亿韩元将用于支持19个新项目，7.59亿韩元将用于项目运营和管理。
在2021年的19个新项目中，有10个基于概念的新基础技术项目，总价值20亿韩元； 8个新设备技术项目，总价值60.68亿韩元；一项新设备集成和验证技术项目，总金额为22.5亿韩元。
韩国将在2021年增加对新设备技术的投资，以确保其在人工智能半导体设备中的核心技术优势（例如，对人脑模拟设备的研究）。
2021年的新项目将于今年4月实施，但尚未宣布。
表12021继续支持2020年选定的项目（24）序列号类别名称资助金额（百万韩元）202020211新设备技术项目15个使用高k绝缘隧道势垒的超低功耗2D-3D过渡金属二硫化物TFET和逻辑的开发电路55711142基于阈值开关的快速传输低功耗逻辑器件和电路系统的开发4478943基于低温外延和重结晶过程的Si / SiGe通道M3D集成器件和体系结构的开发55711144低温过程氧化物的开发＃39;超低功耗M3D集成逻辑器件和体系结构55711145开发集成2D金属硫化物和Ge / SiBEOL的高性能器件和M3D集成技术55711146开发基于ReRAM 4478947的近存储器位向量运算，以加速深度运算神经网络三端存储计算设备的开发和体系结构4478948开发（半）铁电存储器计算设备和与CMOS技术兼容的具有低功耗，高可靠性的结构4478949与CMOS技术兼容的三端突触设备和基于io的晶体