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> 静态随机存取存储器(SRAM)
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS62WV51216EBLL-45TLI | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS62WV51216BLL-55TLI-TR | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS62WV51216BLL-55TLI | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS61WV25616EDBLL-10TLI | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS61WV6416EEBLL-10TLI-TR | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | IS62WV51216BLL-55TLI | 封装/外壳:44-TSOP II | |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY7C1021DV33-10ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:10ns 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62128EV30LL-45ZAXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:45ns 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-sTSOP |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY7C1021DV33-10ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:10ns 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62128EV30LL-45ZAXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:45ns 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-sTSOP |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY7C1021DV33-10ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:10ns 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY7C1021DV33-10ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:10ns 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62128EV30LL-45ZAXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:45ns 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-sTSOP |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY7C1021DV33-10ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:10ns 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY7C1021DV33-10ZSXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (64K x 16) 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压-电源:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:10ns 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:44-TSOP II |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62128EV30LL-45ZAXIT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:1Mb (128K x 8) 访问时间:45ns 存储器接口:并联 电压-电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 写周期时间 - 字，页:45ns 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-sTSOP |
| 静态随机存取存储器(SRAM) | CY62256NLL-70SNXCT | CYPRESS(赛普拉斯) | 系列:MoBL® 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 存储容量:256Kb (32K x 8) 访问时间:70ns 存储器接口:并联 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 写周期时间 - 字，页:70ns 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:28-SOIC |