IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 晶振 | AM30000301 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:30MHZ |
| 晶振 | A308000001 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±30PPM 封装/外壳:3225 频率:8MHZ |
| 晶振 | 8Y26002001 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:2016 频率:26MHZ |
| 晶振 | 7M25000018 | TXC(台湾晶技) | FET类型:MHz 晶体 频率:25MHz 负载电容:12pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 高度 - 安装（最大值）:0.032"(0.80mm) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:3225 |
| 晶振 | SIT8924BE-72-18E-41.600000E | SiTime | |
| 晶振 | SIT8924BE-72-18E-42.000000E | SiTime | |
| 晶振 | 7C25000017 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±25PPM 封装/外壳:5032 电压:3.3V 频率:25MHZ |
| 晶振 | 7X16000004 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±20PPM 封装/外壳:3225 电压:3.3V 频率:16MHZ |
| 晶振 | SX32Y040000BF1T | TKD(泰晶) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:40MHZ |
| 晶振 | A308000001 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±30PPM 封装/外壳:3225 频率:8MHZ |
| 晶振 | 49SMD20000FD1F-CB | TKD(泰晶) | 频率容差:±20PPM 封装/外壳:49SMD 频率:20MHZ |
| 晶振 | AN24000002 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±30PPM 封装/外壳:2016 电压:1.8V 频率:24MHZ |
| 晶振 | 7X24000023 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±50PPM 封装/外壳:3225 电压:2.8V 频率:24MHZ |
| 晶振 | 7M16070026 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:16MHZ |
| 晶振 | 7M20000019 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:20MHZ |
| 晶振 | Q-SC32S0322090AAAF | ABLIC(艾普凌科) | |
| 晶振 | AV16000020 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±30PPM 封装/外壳:3225 频率:16MHZ |
| 晶振 | 7M25000018 | TXC(台湾晶技) | FET类型:MHz 晶体 频率:25MHz 负载电容:12pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 高度 - 安装（最大值）:0.032"(0.80mm) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:3225 |
| 晶振 | 7M26000019 | TXC(台湾晶技) | FET类型:MHz 晶体 频率:26MHz 频率稳定度:±15ppm 频率容差:±10ppm 负载电容:12pF 工作温度:-30°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SMD,无引线 高度 - 安装（最大值）:0.032"(0.80mm) 宽度:2.5 mm 系列:7M 长度:3.2 mm |
| 晶振 | 7B08020001 | TXC(台湾晶技) | FET类型:MHz 晶体 频率:8MHz 负载电容:18pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 高度 - 安装（最大值）:0.041"(1.05mm) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:5032 |
| 晶振 | 8Y24000033 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±20PPM 封装/外壳:2016 频率:24MHZ |
| 晶振 | 1XSE050000AR125 | KDS(大真空) | 频率容差:±50PPM 封装/外壳:3225 电压:3.3V 频率:50Mhz |
| 晶振 | AW72003501 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±30PPM 封装/外壳:2520 电压:1.8V 频率:72MHZ |
| 晶振 | TFM632768AD2C-DC | TKD(泰晶) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:7015 频率:0.032768MHZ |
| 晶振 | 8Y26002001 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:2016 频率:26MHZ |
| 晶振 | 7M50070021 | TXC(台湾晶技) | FET类型:MHz 晶体 频率:50MHz 频率稳定度:±20ppm 负载电容:10pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 高度 - 安装（最大值）:0.032"(0.80mm) 频率容差:±15PPM 封装/外壳:3225 |
| 晶振 | 7X75000007 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±35PPM 封装/外壳:3225 电压:1.8V 频率:75MHZ |
| 晶振 | 7M48000014 | TXC(台湾晶技) | FET类型:MHz 晶体 频率:48MHz 负载电容:18pF 工作温度:-30°C ~ 85°C 高度 - 安装（最大值）:0.032"(0.80mm) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:3225 |
| 晶振 | Q-SPT2Q0327620C5MJ | ABLIC(艾普凌科) | |
| 晶振 | 9C24000093 | TXC(台湾晶技) | FET类型:MHz 晶体 频率:24MHz 负载电容:18pF ESR:30 Ohms 工作温度:-20°C ~ 70°C 封装/外壳:0.449" 长 x 0.189" 宽(11.40mm x 4.80mm) 高度 - 安装（最大值）:0.161"(4.10mm) 频率容差:±30PPM |
| 晶振 | 7M20000060 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:20MHZ |
| 晶振 | SIT1572AI-J3-18E-DCC-32.768E | SiTime | |
| 晶振 | SIT1532AC-J5-AA3-32.768D | SiTime | |
| 晶振 | AM10000001 | TXC(台湾晶技) | FET类型:MHz 晶体 频率:10MHz 频率稳定度:±50ppm 负载电容:10pF 工作温度:-40°C ~ 125°C 高度 - 安装（最大值）:0.032"(0.80mm) 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 |
| 晶振 | OW38477001 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:1612 频率:38.4MHZ |
| 晶振 | SIT8924BE-12-18E-12.000000E | SiTime | |
| 晶振 | 8Z12000020 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:2520 频率:12MHZ |
| 晶振 | AY24000005 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±15PPM 封装/外壳:2016 频率:24MHZ |
| 晶振 | Q-SC32A03220C5AAEF | ABLIC(艾普凌科) | |
| 晶振 | AY16000601 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:2016 频率:16MHZ |
| 晶振 | AN54000001 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±30PPM 封装/外壳:2016 电压:3.3V 频率:54MHZ |
| 晶振 | 8Y40090009 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±9PPM 封装/外壳:2016 频率:40MHZ |
| 晶振 | AM30000301 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:30MHZ |
| 晶振 | SX32Y01431ADK1T | TKD(泰晶) | 频率容差:±20PPM 封装/外壳:3225 频率:14.31818MHZ |
| 晶振 | AM16000601 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±15PPM 封装/外壳:3225 频率:16MHZ |
| 晶振 | 7V27000008 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:27MHZ |
| 晶振 | 7B08020001 | TXC(台湾晶技) | FET类型:MHz 晶体 频率:8MHz 负载电容:18pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 高度 - 安装（最大值）:0.041"(1.05mm) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:5032 |
| 晶振 | 8Y40090009 | TXC(台湾晶技) | 频率容差:±9PPM 封装/外壳:2016 频率:40MHZ |