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    晶振 SIT8924BE-72-18E-41.600000E SiTime
    晶振 SIT8924BE-72-18E-42.000000E SiTime
    晶振 7C25000017 TXC(台湾晶技) 频率容差:±25PPM 封装/外壳:5032 电压:3.3V 频率:25MHZ
    晶振 7X16000004 TXC(台湾晶技) 频率容差:±20PPM 封装/外壳:3225 电压:3.3V 频率:16MHZ
    晶振 SX32Y040000BF1T TKD(泰晶) 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:40MHZ
    晶振 A308000001 TXC(台湾晶技) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:3225 频率:8MHZ
    晶振 49SMD20000FD1F-CB TKD(泰晶) 频率容差:±20PPM 封装/外壳:49SMD 频率:20MHZ
    晶振 AN24000002 TXC(台湾晶技) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:2016 电压:1.8V 频率:24MHZ
    晶振 7X24000023 TXC(台湾晶技) 频率容差:±50PPM 封装/外壳:3225 电压:2.8V 频率:24MHZ
    晶振 7M16070026 TXC(台湾晶技) 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:16MHZ
    晶振 7M20000019 TXC(台湾晶技) 频率容差:±10PPM 封装/外壳:3225 频率:20MHZ
    晶振 Q-SC32S0322090AAAF ABLIC(艾普凌科)
    晶振 AV16000020 TXC(台湾晶技) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:3225 频率:16MHZ
    晶振 7M25000018 TXC(台湾晶技) FET类型:MHz 晶体 频率:25MHz 负载电容:12pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 高度 - 安装(最大值):0.032"(0.80mm) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:3225
    晶振 7M26000019 TXC(台湾晶技) FET类型:MHz 晶体 频率:26MHz 频率稳定度:±15ppm 频率容差:±10ppm 负载电容:12pF 工作温度:-30°C ~ 85°C 封装/外壳:4-SMD,无引线 高度 - 安装(最大值):0.032"(0.80mm) 宽度:2.5 mm 系列:7M 长度:3.2 mm
    晶振 7B08020001 TXC(台湾晶技) FET类型:MHz 晶体 频率:8MHz 负载电容:18pF 工作温度:-40°C ~ 85°C 高度 - 安装(最大值):0.041"(1.05mm) 频率容差:±30PPM 封装/外壳:5032
    晶振 8Y24000033 TXC(台湾晶技) 频率容差:±20PPM 封装/外壳:2016 频率:24MHZ
    晶振 1XSE050000AR125 KDS(大真空) 频率容差:±50PPM 封装/外壳:3225 电压:3.3V 频率:50Mhz

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