IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 光电晶体管 | PNJ4K01F | ||
| 光电晶体管 | LTR-3208E | 电压-集射极击穿（最大值）:30V 电流-集电极（Ic）（最大值）:3.12mA 电流-暗（Id）（最大值）:100nA 波长:940nm 视角:20° 功率:1/10W 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 | |
| 光电晶体管 | VEMT3700F-GS08 | 系列:汽车级,AEC-Q100 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流-暗（Id）（最大值）:200nA 波长:940nm 视角:120° 功率:1/10W 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:2-LCC(J 形引线) | |
| 光电晶体管 | VEMT3700-GS08 | 封装/外壳:2-PLCC 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 方向:顶视图 波长:830nm 电流-集电极(Ic)(最大值):500uA 视角:120° | |
| 光电晶体管 | VEMT2020X01 | 系列:汽车级,AEC-Q101 电压-集射极击穿（最大值）:20V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流-暗（Id）（最大值）:100nA 波长:860nm 视角:30° 功率:1/10W 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,鸥翼型 | |
| 光电晶体管 | VEMT2003X01 | 系列:汽车级,AEC-Q101 电压-集射极击穿（最大值）:20V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流-暗（Id）（最大值）:1nA 波长:860nm 视角:70° 功率:1/10W 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d | |
| 光电晶体管 | TEMT7100X01 | 功率:100mW 封装/外壳:0805 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 方向:顶视图 波长:870nm 电压-集射极击穿(最大值):20V 电流-暗(Id)(最大值):100uA 电流-集电极(Ic)(最大值):20mA 视角:120° | |
| 光电晶体管 | TEMT1000 | 电压-集射极击穿（最大值）:70V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 电流-暗（Id）（最大值）:200nA 波长:950nm 视角:30° 功率:1/10W 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,Z形弯曲d | |
| 光电晶体管 | TEKT5400S-ASZ | 功率:150mW 封装/外壳:2-SIP 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 方向:侧视图 波长:920nm 电压-集射极击穿(最大值):70V 电流-暗(Id)(最大值):100nA 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 视角:74° | |
| 光电晶体管 | TEFT4300 | 功率:100mW 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:顶视图 波长:925nm 电压-集射极击穿(最大值):70V 电流-暗(Id)(最大值):200nA 电流-集电极(Ic)(最大值):50mA 视角:60° | |
| 光电晶体管 | SFH 314 FA-2/3 | 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 314 FA | 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 313 FA-3/4 | 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 313 FA-2/3 | 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 310 FA-2/3 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309 FA-5/6 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309 FA-5 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309 FA-4 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309 FA-3/4 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309 FA | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309-5/6 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309-5 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309-4/5 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309-4 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309-3/4 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 309 | 封装/外壳:T1 (plastics 3mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 3015 FA | 封装/外壳:ChipLED w lens | |
| 光电晶体管 | SFH 300 FA-3/4 | 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 300 FA | 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 300-3/4 | 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) | |
| 光电晶体管 | SFH 300 | 封装/外壳:T1 3/4 (plastics 5mm) | |
| 光电晶体管 | PT11-21C/L41/TR8 | Dimension(mm):3.0x1.5x1.5 IC(ON)_Typ(mA):0.8 λp(nm):940 | |
| 光电晶体管 | VEMT4700F-GS08n | 封装/外壳:3-SMD,J 形引线 | |
| 光电晶体管 | BPY 62-4 | OSRAM(欧司朗) | 封装/外壳:TO 18 |
| 光电晶体管 | BPY 62 | OSRAM(欧司朗) | 封装/外壳:TO 18 |
| 光电晶体管 | BPX 38-4 | OSRAM(欧司朗) | 封装/外壳:TO 18 |
| 光电晶体管 | BPX 38-3 | OSRAM(欧司朗) | 封装/外壳:TO 18 |
| 光电晶体管 | BPW96B | Vishay(威世) | 功率:150mW 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-集射极击穿(最大值):70V 电流-暗(Id)(最大值):200nA 电流-集电极(Ic)(最大值):50mA 视角:40° |
| 光电晶体管 | BPW85C | Vishay(威世) | 功率:100mW 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-集射极击穿(最大值):70V 电流-暗(Id)(最大值):200nA 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 视角:50° |
| 光电晶体管 | BPW85B | Vishay(威世) | 功率:100mW 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-集射极击穿(最大值):70V 电流-暗(Id)(最大值):200nA 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 视角:50° |
| 光电晶体管 | BPW85A | Vishay(威世) | 功率:100mW 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-集射极击穿(最大值):70V 电流-暗(Id)(最大值):200nA 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 视角:50° |
| 光电晶体管 | BPW77NB | Vishay(威世) | 功率:250mW 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-集射极击穿(最大值):70V 电流-暗(Id)(最大值):100nA 电流-集电极(Ic)(最大值):50mA 视角:20° |
| 光电晶体管 | BPW76B | Vishay(威世) | 功率:250mW 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-集射极击穿(最大值):70V 电流-暗(Id)(最大值):100nA 电流-集电极(Ic)(最大值):50mA 视角:80° |
| 光电晶体管 | BPW17N | Vishay(威世) | 功率:100mW 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:顶视图 波长:825nm 电压-集射极击穿(最大值):32V 电流-暗(Id)(最大值):200nA 电流-集电极(Ic)(最大值):1mA 视角:24° |
| 光电晶体管 | BPV11F | Vishay(威世) | 波长:930nm Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):70V Current-Collector(Ic)(Max):10mA 电流-暗（Id）（最大值）:50nA 视角:30° Power-Max:150mW 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 封装/外壳:径向,5mm 直径(T 1 3/4) |
| 光电晶体管 | BPV11 | Vishay(威世) | 功率:150mW 工作温度:-40°C~100°C(TA) 方向:顶视图 波长:850nm 电压-集射极击穿(最大值):70V 电流-暗(Id)(最大值):50nA 电流-集电极(Ic)(最大值):10mA 视角:30° |
| 光电晶体管 | RPT-34PB3FL | ROHM(罗姆) | |
| 光电晶体管 | PT928-6B-F | Everlight(亿光) | 波长:860nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | PT26-51B/TR8 | Everlight(亿光) | 波长:940nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | PT26-21B/TR8 | Everlight(亿光) | 波长:880nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | RPM-20PBL | ROHM(罗姆) | |
| 光电晶体管 | SML-H10TBT86C | ROHM(罗姆) | |
| 光电晶体管 | SML-810TBT86C | ROHM(罗姆) | |
| 光电晶体管 | SCM-014TBT86B | ROHM(罗姆) | |
| 光电晶体管 | PTP83216BT18 | CT-MICRO(兆龙) | 封装/外壳:3216 功率:1/2W 电压:5V |
| 光电晶体管 | PT26-21B/TR8 | Everlight(亿光) | 波长:880nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | PT26-51B/TR8 | Everlight(亿光) | 波长:940nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | PT26-21B/TR8 | Everlight(亿光) | 波长:880nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | PT26-51B/TR8 | Everlight(亿光) | 波长:940nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | PT26-51B/TR8 | Everlight(亿光) | 波长:940nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | RPM-22PB | ROHM(罗姆) | 朝向:侧视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:500nA 波长:800nm 视角:64° 功率:3/20W |
| 光电晶体管 | RPI-441C1 | ROHM(罗姆) | 感应距离:0.157"(4mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流 - DC 正向（If）:50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 响应时间:10µs,10µs 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:PCB 安装 |
| 光电晶体管 | RPI-0125 | ROHM(罗姆) | |
| 光电晶体管 | VOS615A-2X001T | Vishay(威世) | 电流传输比(最大值):125% @ 10mA 封装/外壳:4-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 工作温度:-55°C~110°C 电流 - DC 正向 (If)(最大值):50mA 输入类型:DC 通道数:1 电压 - 正向 (Vf)(典型值):1.2V 接通 / 关断时间(典型值):5?s,5?s 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 输出(最大值):80V 电流传输比(最小值):63% @ 10mA 上升/下降时间(典型值):3?s,4?s |
| 光电晶体管 | SML-H10TBT86 | ROHM(罗姆) | |
| 光电晶体管 | SML-H10TBT86 | ROHM(罗姆) | |
| 光电晶体管 | SCM-014TBT86 | ROHM(罗姆) | 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:0.5µA 波长:800nm 功率:1/10W |
| 光电晶体管 | RPI-0125 | ROHM(罗姆) | |
| 光电晶体管 | RPI-441C1 | ROHM(罗姆) | 感应距离:0.157"(4mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流 - DC 正向（If）:50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 响应时间:10µs,10µs 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:PCB 安装 |
| 光电晶体管 | RPI-441C1 | ROHM(罗姆) | 感应距离:0.157"(4mm) 感应方法:可传导的 输出配置:光电晶体管 电流 - DC 正向（If）:50mA 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 响应时间:10µs,10µs 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:PCB 安装 |
| 光电晶体管 | VOS615A-2X001T | Vishay(威世) | 电流传输比(最大值):125% @ 10mA 封装/外壳:4-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 工作温度:-55°C~110°C 电流 - DC 正向 (If)(最大值):50mA 输入类型:DC 通道数:1 电压 - 正向 (Vf)(典型值):1.2V 接通 / 关断时间(典型值):5?s,5?s 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 输出(最大值):80V 电流传输比(最小值):63% @ 10mA 上升/下降时间(典型值):3?s,4?s |
| 光电晶体管 | PT26-51B/TR8 | Everlight(亿光) | 波长:940nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | RPM-22PB | ROHM(罗姆) | 朝向:侧视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:径向 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:500nA 波长:800nm 视角:64° 功率:3/20W |
| 光电晶体管 | SML-810TBT86 | ROHM(罗姆) | 朝向:顶视图 封装/外壳:2-SMD,无引线 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:0.5µA 波长:800nm 功率:2/25W |
| 光电晶体管 | PT928-6B-F | Everlight(亿光) | 波长:860nm 工作温度:-25°C~85°C |
| 光电晶体管 | SCM-014TBT86 | ROHM(罗姆) | 朝向:顶视图 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:2-SMD,无引线 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 电流 - 暗（Id）（最大值）:0.5µA 波长:800nm 功率:1/10W |