参数	值
产品	未分类
型号编码	TSM60NB600CI C0G
说明	未分类   ITO-220S 10x4.6x15mm 10mm
品牌	Taiwan Semiconductor
起订量	0
最小包	0
现货	119 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	8 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	600 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	±30 V
封装/外壳	ITO-220S
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	32 W
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	10 x 4.6 x 15mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
漏源极电压Vds	743 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	21 ns
宽度	4.6mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	15mm
长度	10mm