参数	值
产品	未分类
型号编码	TS2311CX-01 RF
说明	未分类   SOT-23 3.1mm 3.1x1.7x1.2mm
品牌	Taiwan Semiconductor
起订量	0
最小包	0
现货	118 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	4 A
漏源极电压Vds	20 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	85 m0hms
栅极电压Vgs	0.95V
栅极电压Vgs	-8 V、+8 V
封装/外壳	SOT-23
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
功率	900 mW
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	3.1mm
高度	1.2mm
宽度	1.7mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	640 pF @ -6 V
典型关断延迟时间	70 ns
典型接通延迟时间	35 ns
封装/外壳	3.1 x 1.7 x 1.2mm