参数	值
产品	未分类
型号编码	TPS2811DR
说明	未分类   SOIC-8 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC
品牌	TI(德州仪器)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5361 [库存更新时间：2024-06-02]
上升时间	35 ns
激励器数量	2
电源电压-最小	4 V
电源电流	0.0002 mA
FET类型	High Speed
配置	Inverting
封装/外壳	SOIC-8
功率	730 mW
最大工作温度	+ 125 C
最小工作温度	- 40 C
驱动配置	低压侧
FET类型	同步
驱动器数	2
栅极类型	N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 电源	4 V ~ 14 V
逻辑电压 - VIL，VIH	1V,4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）	2A,2A
输入类型	反相
上升/下降时间（典型值）	14ns,15ns
工作温度	-40°C ~ 125°C(TA)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	8-SOIC