参数	值
产品	未分类
型号编码	TPS1101D
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
品牌	TI(德州仪器)
起订量	0
最小包	0
现货	117 [库存更新时间：2024-05-22]
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	11.25nC @ 10V
栅极电压Vgs	+2V,-15V
功率	791mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	90mΩ@2.5A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	15V
连续漏极电流Id	2.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	15V
连续漏极电流Id	2.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.7V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	11.25nC @ 10V
栅极电压Vgs	+2V,-15V
功率	791mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	90mΩ@2.5A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)