参数	值
产品	未分类
型号编码	TPC8A05-H(TE12L,QM
说明	未分类   8-SOP(5.5x6.0) 8-SOIC(0.173",4.40mm宽)
品牌	Toshiba Semiconductor and Storage
起订量	0
最小包	0
现货	534 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	10A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1.7nF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	10V
FET类型	肖特基二极管(体)
功率	1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	13.3 毫欧 @ 5A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOP(5.5x6.0)
封装/外壳	8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)