参数	值
产品	未分类
型号编码	TK9J90E
说明	未分类   TO-3PN 15.5mm 15.5x4.5x20mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-18]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	9 A
漏源极电压Vds	900 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.3 0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-3PN
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	250W
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	15.5mm
高度	20mm
系列	TK
宽度	4.5mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2000 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	140 ns
典型接通延迟时间	80 ns
封装/外壳	15.5 x 4.5 x 20mm