参数	值
产品	未分类
型号编码	TK65G10N1
说明	未分类   D2PAK 10.35mm 10.35x10.27x4.46mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	136 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.5 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	±20 V
封装/外壳	D2PAK
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	156W
典型接通延迟时间	44 ns
典型关断延迟时间	85 ns
漏源极电压Vds	5400 pF @ 50 V
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	10.27mm
长度	10.35mm
高度	4.46mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	10.35 x 10.27 x 4.46mm
最高工作温度	+150 °C